Hệ thống khắc khô plasma nghiên cứu khoa học (ICP/CCP)

Có thể đàm phánCập nhật vào01/14

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Hệ thống khắc khô Plasma PLUTO-E100 (ICP/CCP) là một thiết bị khắc khô với chi phí thấp, phù hợp cho các phòng thí nghiệm của các tổ chức nghiên cứu và toàn bộ hệ thống được thiết kế để khắc khô trên các mẫu 4 inch trở xuống. Hệ thống này bao gồm buồng phản ứng, hệ thống chân không, hệ thống RF RF, hệ thống đường dẫn khí phản ứng, điều khiển thiết bị điện, chương trình phần mềm và một số hệ thống con khác.

Chi tiết sản phẩm

Mô hình PLUTO-E100Hệ thống khắc khô plasma nghiên cứu khoa học (ICP/CCP)Là một loại thiết bị nghiên cứu khoa học kiểu bàn có chi phí thấp, thích hợp cho phòng thí nghiệm của các cơ quan nghiên cứu khoa học, mục đích của toàn bộ hệ thống là khắc khô trên mẫu 4 inch và dưới đây. Hệ thống này bao gồm buồng phản ứng, hệ thống chân không, hệ thống RF RF, hệ thống đường dẫn khí phản ứng, điều khiển thiết bị điện, chương trình phần mềm và một số hệ thống con khác.

Toàn bộ hệ thống là điều khiển phần mềm hoàn toàn tự động, hỗ trợ viết recipe, hỗ trợ khả năng chạy tự động nhiều bước quy trình. Thiết bị được trang bị chức năng bảo vệ an toàn như khóa liên động, bộ nhớ tắt nguồn, báo động tự động và bảo vệ bơm phân tử. Để đảm bảo sự linh hoạt của thiết bị để lại không gian nâng cấp nhất định.

Hệ thống khắc khô plasma nghiên cứu khoa học (ICP/CCP)Thông số kỹ thuật:

1. Buồng phản ứng: hợp kim nhôm T6060, phù hợp với mẫu 4 inch trở xuống;

2. Hệ thống chân không bao gồm bơm phân tử cũng như bơm cơ khí. Hệ thống đo chân không sử dụng máy đo áp suất điện dung;

3. Thiết bị được trang bị nguồn RF 13,56 MHz ở 1000w, bộ ghép RF tự động, và cáp RF cũng như đầu nối RF chuyên dụng;

4. Được trang bị khí phản ứng 4 chiều, nâng cấp tối đa lên 6 chiều;

5. Toàn bộ hệ thống máy khắc plasma ICP là hệ thống điều khiển tự động, hệ thống tự động này được thực hiện cùng nhau thông qua PLC, máy điều khiển công nghiệp và phần mềm điều khiển.

Hệ thống khắc khô plasma nghiên cứu khoa học (ICP/CCP)Lĩnh vực ứng dụng:

Sản xuất vi điện tử: Cắt plasma được sử dụng rộng rãi trong mạch tích hợp và sản xuất chip để tạo ra các cấu trúc tinh tế trong mạch như bóng bán dẫn, tụ điện, v.v., cũng như sửa chữa hoặc điều chỉnh các thiết bị điện tử trên chip.

Sản xuất linh kiện quang học: Công nghệ khắc plasma có thể được sử dụng để sản xuất các linh kiện quang học như sợi quang, hướng dẫn sóng quang, v.v. Bằng cách kiểm soát năng lượng và mật độ của plasma, các cấu trúc và hình dạng mong muốn có thể được hình thành trên vật liệu quang học.

‌ Sản xuất MEMS: Máy khắc plasma có thể được sử dụng để sản xuất các cấu trúc và thiết bị tinh tế trong các hệ thống vi cơ điện (MEMS), chẳng hạn như cảm biến vi mô, thiết bị truyền thông không dây và hệ thống chuyển động vi cơ, v.v.

‌ Chế tạo tấm chắn: Cắt plasma được sử dụng để tạo ra các mẫu trên tấm chắn, cũng như sửa chữa hoặc sửa đổi các cấu trúc tinh tế trên tấm chắn.

‌ Ứng dụng y sinh: Cắt plasma có thể được sử dụng trong lĩnh vực y sinh, chẳng hạn như sản xuất chip vi lưu, chip sinh học, v.v., để đạt được việc chuẩn bị cấu trúc vi mô để phân tích sinh học và thí nghiệm.

Công nghệ nano: Cắt plasma có thể được sử dụng để tạo ra các vật liệu nano và cấu trúc nano như ống nano, hạt nano, v.v., cho phép sửa đổi và kiểm soát chính xác vật liệu bằng cách kiểm soát các thành phần và điều kiện phản ứng của plasma.

‌ Sản xuất wafer‌ Trong quá trình sản xuất wafer, máy khắc plasma sử dụng khí tetrafluoride để khắc dòng silicon, cũng như khắc silic nitride và loại bỏ thạch cao. Bằng cách điều chỉnh thành phần khí, độ sâu khắc có thể được kiểm soát chính xác để đạt được độ chính xác cao ở cấp micron.

Sản phẩm tương tự Khuyến nghị