Máy cắt plasma CCP

Có thể đàm phánCập nhật vào01/14

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Máy khắc plasma CCP (Plasma Etcher) là một thiết bị thường được sử dụng trong lĩnh vực vi xử lý nano để xử lý tốt và định nghĩa mẫu vật liệu như thiết bị bán dẫn, thành phần quang học, chip sinh học. Nguyên tắc của nó dựa trên công nghệ plasma, sử dụng các ion và gốc tự do trong plasma để phản ứng hóa học và khắc vật lý bề mặt vật liệu bằng cách xả khí để tạo ra plasma.

Chi tiết sản phẩm

1. Đưa khí (như khí florua) vào buồng phản ứng, xả khí bằng nguồn công suất tần số vô tuyến (RF) hoặc nguồn vi sóng, v.v. Điện trường và năng lượng được tạo ra trong quá trình xả kích thích các phân tử khí tạo thành plasma.

2. Các phân tử khí được kích thích thành các loài hoạt động như ion, electron và gốc tự do. Các loài hoạt động này phản ứng hóa học với bề mặt vật liệu, chẳng hạn như flo hóa, oxy hóa, silic hóa, v.v., do đó làm thay đổi tính chất hóa học của bề mặt.

3. Các ion và gốc tự do áp dụng năng lượng lên bề mặt vật liệu, dẫn đến việc loại bỏ các nguyên tử hoặc phân tử trên bề mặt vật liệu. Quá trình khắc vật lý này cho phép bề mặt vật liệu dần dần bị tước bỏ, đạt được quá trình xử lý tốt và định nghĩa mẫu vật liệu.

4. Bằng cách kiểm soát các loại khí, công suất xả, áp suất buồng phản ứng và các thông số khác, có thể đạt được việc khắc có chọn lọc các vật liệu khác nhau. Ví dụ, có thể đạt được việc khắc có chọn lọc các vật liệu như silicon, silicon nitride và silicon oxit.

5. Thường cũng được trang bị hệ thống chân không, hệ thống điều khiển nhiệt độ, hệ thống điều khiển dòng khí và các chức năng phụ trợ khác để đảm bảo sự ổn định và kiểm soát của quá trình khắc.

Máy khắc plasma CCP WINETCH là hệ thống plasma CCP tỷ lệ chi phí cao được thiết kế theo yêu cầu của khách hàng nghiên cứu và phát triển doanh nghiệp. Là một hệ thống đa chức năng, nó có được quy trình khắc CCP hiệu suất cao thông qua thiết kế hệ thống được tối ưu hóa với các sơ đồ cấu hình linh hoạt. Cấu trúc nhỏ gọn của thiết bị chiếm diện tích nhỏ, thiết kế máy móc của ngành và phần mềm vận hành tự động tối ưu hóa giúp thiết bị hoạt động dễ dàng, an toàn và ổn định và lặp lại tốt.

CCP khắc là một công nghệ xử lý vi nạp thường được sử dụng rộng rãi trong sản xuất thiết bị bán dẫn, sản xuất thiết bị quang học, sản xuất chip sinh học và các lĩnh vực khác. Nguyên tắc của nó là sử dụng điện trường xoay chiều tần số cao để tạo ra plasma, trong đó bề mặt vật liệu được phản ứng hóa học và va chạm vật lý dưới tác động của plasma, do đó đạt được việc khắc vật liệu.

Máy khắc plasma CCP Hệ thống khắc WINETCH tạo ra plasma mật độ cao thông qua phương pháp ghép nối điện dung (CCP), theo đồ họa mặt nạ (ví dụ như mặt nạ photocopy), để đạt được khắc chọn lọc các vật liệu trung bình (ví dụ: silic oxide SiO2, silic nitride SiNx, v.v.).

Hệ thống CCP chủ yếu bao gồm các bộ phận sau: buồng phản ứng, bật nguồn, đầu phun (bật nguồn), nguồn RF, hệ thống chân không, buồng chân không trước, hệ thống đường dẫn khí, hệ thống điều khiển và phần mềm, phụ kiện hỗ trợ, v.v.

Tính năng sản phẩm của máy khắc plasma WINETCH:

- Hình dạng khắc tốt, hiệu suất công nghệ *

- Tỷ lệ lựa chọn cao, tỷ lệ khắc cao

- Chi phí sở hữu và chi phí tiêu thụ thấp

Thông số kỹ thuật của máy khắc plasma WINETCH:

Kích thước wafer: 6/8 inch tương thích

Quy trình áp dụng: Cắt plasma

Vật liệu áp dụng: SiO2, Si3N4, etc. Khu vực áp dụng: Chất bán dẫn hợp chất, MEMS、 Thiết bị điện, nghiên cứu khoa học và các lĩnh vực khác

Sản phẩm tương tự Khuyến nghị