Máy khắc plasma ICP WINETCH là hệ thống plasma ICP có tỷ lệ chi phí cao được thiết kế theo yêu cầu của khách hàng nghiên cứu và phát triển doanh nghiệp. Là một hệ thống đa chức năng, nó có được quy trình khắc ICP hiệu suất cao thông qua thiết kế hệ thống được tối ưu hóa với các sơ đồ cấu hình linh hoạt. Cấu trúc nhỏ gọn của thiết bị này chiếm diện tích nhỏ, thiết kế cơ khí chuyên nghiệp và phần mềm vận hành tự động được tối ưu hóa làm cho thiết bị này hoạt động dễ dàng, an toàn và độ lặp lại ổn định của quy trình rất tốt.
Khắc khô ICP là một kỹ thuật xử lý vi nạp phổ biến trên nguyên tắc ion hóa khí bằng cách sử dụng điện trường tần số cao để tạo thành plasma, sau đó được đưa vào buồng phản ứng để ăn mòn hoặc lắng đọng vật liệu bằng cách sử dụng các phản ứng hóa học trong buồng phản ứng. Trong khắc khô ICP, vai trò của điện trường tần số cao là ion hóa các phân tử khí để tạo thành các electron và ion. Các ion tăng tốc chuyển động dưới tác động của điện trường và va chạm với các phân tử khí trong buồng phản ứng, từ đó tạo thành plasma. Plasma có đặc tính nhiệt độ cao, năng lượng cao và có thể xử lý vật liệu hiệu quả cao. ICP khắc khô được đặc trưng bởi khả năng đạt được độ chính xác cao, tốc độ cao và độ đồng đều cao, và thiệt hại ít hơn cho vật liệu, thường được sử dụng trong sản xuất vi điện tử, chế biến quang học và các lĩnh vực khác. Nhưng điều quan trọng cần lưu ý là khi sử dụng phương pháp khắc khô ICP, các thông số như khí, công suất và nhiệt độ buồng phản ứng thích hợp nên được chọn để tránh ảnh hưởng tiêu cực đến vật liệu.
Máy khắc plasma ICP WINETCHLà hệ thống plasma ICP giá cao được thiết kế theo nhu cầu sử dụng của khách hàng nghiên cứu khoa học và phát triển doanh nghiệp. Là một hệ thống đa chức năng, nó có được quy trình khắc ICP hiệu suất cao thông qua thiết kế hệ thống được tối ưu hóa với các sơ đồ cấu hình linh hoạt. Cấu trúc nhỏ gọn của thiết bị này chiếm diện tích nhỏ, thiết kế cơ khí chuyên nghiệp và phần mềm vận hành tự động được tối ưu hóa làm cho thiết bị này hoạt động dễ dàng, an toàn và độ lặp lại ổn định của quy trình rất tốt.
Máy khắc plasma ICP WINETCH Tính năng sản phẩm:
● Tương thích 4/6/8 inch, hệ thống truyền chân không wafer đơn
● Chi phí thấp và đáng tin cậy, phù hợp cho R&D và sản xuất quy mô nhỏ
● Cấu trúc thiết bị đơn giản, hình dạng nhỏ
● Hoạt động dễ dàng, điều khiển tự động dễ dàng, thích hợp cho việc khắc tấm nền trên diện tích lớn
● Độ đồng nhất khắc tuyệt vời, tốc độ khắc nhanh
● Hệ thống điều khiển phần mềm quản lý và điều khiển công thức đáp ứng các tiêu chuẩn bán dẫn
● Tỷ lệ lựa chọn cao, đẳng hướng cao và thiệt hại khắc nhỏ
● Khả năng kiểm soát cao của đường viền mặt cắt, bề mặt khắc phẳng và mịn màng
Máy khắc plasma ICPThông số kỹ thuật:
Kích thước wafer: Tương thích 4/6/8 inch
Quy trình áp dụng: Cắt plasma
Vật liệu áp dụng: SiC, Si, GaN, GaAs, InP, Ploy, etc.
Lĩnh vực áp dụng: Hợp chất bán dẫn, MEMS、 Thiết bị điện, nghiên cứu khoa học và các lĩnh vực khác