Sê-ri NS-30 (Máy đo độ dày màng tự động kiểu bàn) là hệ thống phân tích đo độ dày màng tự động kiểu bàn. Trên cơ sở đo độ dày màng, lặp đi lặp lại các bảng lấy mẫu tự động, cho phép đo tự động các điểm được thiết lập và tiếp tục tạo ra bản đồ phân phối dữ liệu 2D và 3D. Sê-ri NS-30 phù hợp để đo độ dày màng wafer hoặc đo độ dày màng tế bào quang điện, v.v.
Sê-ri NS-30 (Máy đo độ dày màng tự động kiểu bàn) là hệ thống phân tích đo độ dày màng tự động kiểu bàn. Có thể đạt đượcChỉ số khúc xạ hấp thụ chỉ số đo hệ số tuyệt chủng,Trên cơ sở đo độ dày màng, lặp đi lặp lại các bảng lấy mẫu tự động, cho phép đo tự động các điểm được thiết lập và tiếp tục tạo ra bản đồ phân phối dữ liệu 2D và 3D. Sê-ri NS-30 phù hợp để đo độ dày màng wafer hoặc đo độ dày màng tế bào quang điện, v.v.

Thiết bị vớt váng dầu mỡ cho xử lý nước thải -PetroXtractor - Well Oil Skimmer (
1, đo mẫu tự động, kích thước nền tảng 100mm~450mm tùy chọn;
2, Phần mềm tự động tạo phân phối điểm đo theo nhu cầu;
3, hiệu ứng bản đồ 2D và 3D, bao gồm độ dày/chiết suất/phản xạ và các thông tin khác;
4, Đo căng thẳng phim và uốn bề mặt (Stress/Bow);
II. Thông số kỹ thuật của máy đo độ dày màng tự động NS-30
| model | NS-30UV | NS-30 | Sản phẩm NS-30NIR |
| Phạm vi bước sóng | 190 nm - 1100 nm | 380 nm đến 1050 nm | Từ 950 nm đến 1700 nm |
| Phạm vi đo độ dày1
| 1 nm đến 40 μm | 15 nm đến 80 μm | 150 nm đến 250 μm |
| Độ chính xác2
| 1 nmhoặc0.2%
| 2 nmhoặc0.2%
| 3 nmhoặc0.4%
|
| Độ chính xác3
| 0,02 nm | 0,02 nm | 0,1 nm |
| Tính ổn định4
| 0,05 nm | 0,05 nm | 0,12 nm |
| kích thước vết sáng | 1,5 mm | 1,5 mm | 1,5 mm |
| Tốc độ đo | < 1 giây(Đo một lần)
| < 1 giây(Đo một lần)
| < 1 giây(Đo một lần)
|
| Nguồn sáng | Đèn halogen vonfram+Đèn Deuterium
| Đèn halogen vonfram | Đèn halogen vonfram |
| Kích thước mẫu | Đường kính từ1 mmĐến300mmhoặc lớn hơn
| Đường kính từ1 mmĐến300mmhoặc lớn hơn
| Đường kính từ1 mmĐến300mmhoặc lớn hơn
|
1 Phụ thuộc vào vật liệu cụ thể
2 Si/SiO2 (500~1000nm) mẫu
3 Tính toán độ lệch chuẩn 1x của tấm tiêu chuẩn SiO2 500nm 100 lần đo, tính trung bình độ lệch chuẩn 1x của 20 ngày đo hiệu quả
4 Tính trung bình của 100 phép đo SiO2 500nm và độ lệch chuẩn gấp đôi giá trị trung bình của 20 ngày đo hiệu quả