-
Thông tin E-mail
cui@nanoscribe.com
-
Điện thoại
13917994506
-
Địa chỉ
Phòng 108, số 26 đường Jiafeng, Khu mậu dịch tự do mới Phố Đông, Thượng Hải
Về chúng tôi
Nano 3D Technology (Shanghai) Co., Ltd. Nanoscribe
Nanoscribe 3D Nanoscribe: Giải pháp chính xác cao cho việc đóng gói Photon
Ngày:2025-10-31Đọc:0
Trong xu hướng nâng cấp công nghệ tích hợp quang tử theo mật độ cao, băng thông cao, bao bì quang tử đặt ra yêu cầu nghiêm ngặt về độ chính xác, độ phức tạp và phù hợp của cấu trúc vi nạp - phương pháp xử lý truyền thống khó có thể tính đến "độ chính xác ghép nối nano" và "tính linh hoạt của cấu trúc ba chiều", trong khi Nanoscribe ba chiều nano dựa trên công nghệ in thạch bản màu xám hai photon tạo ra giải pháp in 3D bao bì quang tử, đang giải quyết vấn đề gia công của bao bì quang tử với năng lực cốt lõi "bao phủ toàn cấu trúc+điều khiển chính xác cao+thích hợp cảnh hóa".
Giải pháp dành riêng cho Le2GL ® Công nghệ in thạch bản màu xám kép là cốt lõi, xây dựng hệ thống tích hợp "thiết bị - phần mềm - quy trình - dịch vụ", phù hợp chính xác với ba nhu cầu xử lý cốt lõi "cấu trúc ghép nối, kênh kết nối, yếu tố quang học" trong gói photon. Về cấu trúc kỹ thuật, thông qua kính rung laser tần số cao và công nghệ điều chỉnh độ sâu của voxel động 100MHz, để đạt được in 3D trực tiếp không che mặt: chùm tia laser có thể được quét chính xác theo đường dẫn thiết kế kỹ thuật số, điều chỉnh kích thước voxel và năng lượng trong thời gian thực, không cần cắt lát nhiều lớp có thể tạo thành cấu trúc vi nạp ba chiều một lần, vừa tránh sự chậm trễ chu kỳ do việc chuẩn bị mặt nạ, vừa có thể linh hoạt điều chỉnh các thông số cấu trúc, hoàn thành việc điều chỉnh nhịp độ nghiên cứu và sản xuất "khối lượng nhỏ, lặp lại nhiều" trong gói photon.
Để đáp ứng nhu cầu kỹ thuật quan trọng của gói photon, sơ đồ hình thành ba khả năng cốt lõi: thứ nhất, xử lý cấu trúc ghép nối siêu chính xác. Độ phân giải xử lý thấp dưới 100 nanomet, độ nhám bề mặt cấp quang học (Ra<5nm), có thể in trực tiếp mảng ống kính vi mô cần thiết cho việc ghép sợi quang-chip, chip-chip, ống kính chiết suất gradient (GRIN Lens) và các cấu trúc khác, trong ứng dụng thực tế có thể kiểm soát tổn thất ghép nối thiết bị photon trong vòng 1,5dB, đáp ứng nhu cầu tổn thất thấp của truyền thông quang học, quang tử lượng tử; Thứ hai, đa vật liệu tương thích và tích hợp dị chất. Hỗ trợ in thạch bản, thủy tinh, vật liệu dựa trên silicon và vật liệu tương thích sinh học và các chất nền phổ biến khác để đóng gói photon, có thể đạt được in tích hợp "cấu trúc microphotology+kênh kết nối dẫn điện" trên cùng một chip, để giải quyết các vấn đề liên kết của xử lý từng bước các vật liệu khác nhau trong quá trình truyền thống; Thứ ba, chế tạo cấu trúc vượt mức. Nó có thể đạt được cả các tính năng tinh tế ở cấp độ nano (chẳng hạn như khẩu độ tinh thể photon<200nm) và cả cấu trúc tổng thể ở cấp độ milimet (chẳng hạn như chip quang microfluidic), phù hợp với nhu cầu xử lý quy mô đầy đủ từ gói chip photon đến mô-đun quang học tích hợp.
Về tính phù hợp với cảnh, phương án đóng gói các liên kết toàn bộ "Nghiên cứu phát triển - sản xuất lượng lớn". Hướng tới các trường đại học và các tổ chức nghiên cứu khoa học, hỗ trợ thay đổi nhanh chóng cấu trúc vi nạp tùy chỉnh, có thể hoàn thành việc chuẩn bị nguyên mẫu cấu trúc ghép photon mới trong vòng 1-2 ngày, hỗ trợ nghiên cứu và phát triển công nghệ tiên tiến như bề mặt siêu cấu trúc, thiết bị photon lượng tử; Đối với cuối công nghiệp, thông qua nền tảng xử lý cấp wafer 6 inch và thiết kế quy trình tự động, để đạt được sản xuất hàng loạt nhỏ các thiết bị như mảng vi thấu kính quang học, công tắc quang MEMS và không cần thay mặt nạ để chuyển đổi mô hình sản phẩm, hiệu quả sản xuất tăng hơn 30% so với quy trình truyền thống.