-
Thông tin E-mail
info_gcinstruments@163.com
-
Điện thoại
18698644445
-
Địa chỉ
Tòa nhà số 1, 286 đường Thanh Long Cảng, thành phố mới của đường sắt cao tốc quận Tương Thành, thành phố Tô Châu A201
Danh mục sản phẩm
Công ty TNHH Thiết bị khoa học Guochuang (Tô Châu)
Máy quang phổ phân tích cấu trúc tốt X-ray
Có thể đàm phánCập nhật vào02/09
- Mô hình
- Thiên nhiên của nhà sản xuất
- Nhà sản xuất
- Danh mục sản phẩm
- Nơi xuất xứ
Tổng quan
Máy quang phổ phân tích cấu trúc tốt tia X (XAFS/XES) là một kỹ thuật không phá hủy được sử dụng để nghiên cứu trạng thái cấu trúc và điện tử cục bộ của vật liệu. XAFS/XES chủ yếu được sử dụng trong các chất xúc tác, hợp kim, gốm sứ, chất gây ô nhiễm môi trường, tất cả các loại vật liệu tinh thể và phi tinh thể và phân tích trạng thái hóa trị, cấu trúc phối hợp và phân tích trạng thái điện tử của các ion kim loại trong các mẫu sinh học, cũng như nghiên cứu quá trình tiến hóa động của cấu trúc cục bộ của vật liệu dưới sự thay đổi của trường nhiệt, trường ánh sáng, điện trường và từ trường.
Chi tiết sản phẩm
Máy quang phổ phân tích cấu trúc tốt X-rayXAFS/XES là một kỹ thuật không phá hủy được sử dụng để nghiên cứu trạng thái cấu trúc cục bộ và điện tử của vật liệu. Kỹ thuật này sử dụng sự tương tác của tia X với vật chất để thu được phổ hấp thụ gần (XANES) của các nguyên tố được chỉ định, phổ hấp thụ xa mở rộng (EXAFS) và phổ phát xạ dải năng lượng cụ thể, được sử dụng để phân tích trạng thái hóa học và hóa trị của các nguyên tố, cấu trúc phối hợp của môi trường cục bộ xung quanh nguyên tử và sàng lọc các loại nguyên tử phối hợp của các nguyên tố được đo, là một phương tiện quan trọng để mô tả cấu trúc vi phối hợp của các vật liệu tinh thể và phi tinh thể. XAFS/XES chủ yếu được sử dụng trong các chất xúc tác, hợp kim, gốm sứ, chất gây ô nhiễm môi trường, tất cả các loại vật liệu tinh thể và phi tinh thể và phân tích trạng thái hóa trị, cấu trúc phối hợp và phân tích trạng thái điện tử của các ion kim loại trong các mẫu sinh học, cũng như nghiên cứu quá trình tiến hóa động của cấu trúc cục bộ của vật liệu dưới sự thay đổi của trường nhiệt, trường ánh sáng, điện trường và từ trường.
1. Máy quang phổ phân tích cấu trúc tốt X-rayNguyên tắc cốt lõi
Cấu trúc hấp thụ tia X (XAFS):
Khi tia X đi qua vật liệu, các nguyên tử hấp thụ một năng lượng cụ thể (tương ứng với bước nhảy electron), tạo thành phổ hấp thụ. Các cấu trúc tinh tế gần các cạnh hấp thụ (EXAFS và XANES) phản ánh thông tin về khoảng cách nguyên tử, số phối hợp, cấu trúc cục bộ, v.v.
EXAFS (Extended X-ray Absorption Fine Structure): Tín hiệu dao động vùng năng lượng cao phản ánh sự sắp xếp các nguyên tử lân cận.
XANES (X-ray Absorption Near Edge Structure): Vùng gần cạnh hấp thụ, phản ánh trạng thái điện tử và đối xứng.
2. Thành phần dụng cụ
Nguồn sáng: nguồn bức xạ synchrotron (độ sáng cao, năng lượng điều chỉnh liên tục) hoặc ống tia X phòng thí nghiệm (ví dụ: mục tiêu Cu, mục tiêu Mo).
Monochromator: Chọn tia X với năng lượng cụ thể (như monochromator tinh thể silicon).
Phòng mẫu: môi trường không khí chân không hoặc kiểm soát được trang bị bàn mẫu.
Máy dò:
XAFS: Buồng ion hóa hoặc máy dò trôi silicon (SDD) đo tín hiệu huỳnh quang hoặc truyền.
XPS: Máy phân tích bán cầu (HEA) đo động năng quang điện tử.
Hệ thống dữ liệu: Thu thập và xử lý các bản đồ phổ (như biến đổi Fourier để phân tích EXAFS).
3. Thông số chính
Độ phân giải năng lượng: Khả năng phân giải (như thang đo eV) xác định các chi tiết của quang phổ.
Tỷ lệ tín hiệu tiếng ồn: Phát hiện ảnh hưởng đến tín hiệu yếu (bức xạ synchrotron có thể làm tăng đáng kể tỷ lệ tín hiệu tiếng ồn).
Độ sâu thăm dò:
XAFS: Body Phase Sensitive (chế độ truyền) hoặc Surface Sensitive (chế độ huỳnh quang).
XPS: Bề mặt nhạy cảm (độ sâu phát hiện khoảng 1-10 nm).
4. Lĩnh vực ứng dụng
Khoa học vật liệu: vị trí hoạt động của chất xúc tác, cấu trúc cục bộ của vật liệu pin, kích thước hạt nano.
Hóa học: môi trường phối hợp, trạng thái oxy hóa (ví dụ: phân biệt Fe²⁺/Fe³⁺).
Môi trường/Sinh học: Cơ chế hấp thụ kim loại nặng, cấu trúc trung tâm kim loại protein.
Chất bán dẫn: Phân tích trạng thái hóa học của thành phần màng và giao diện (XPS).
5. Xử lý dữ liệu
XAFS:
Khấu trừ nền (như công thức Victoreen).
Biên giai chuẩn hóa.
Biến đổi Fourier EXAFS thu được hàm phân phối xuyên tâm.
Mô hình phù hợp (như tính toán lý thuyết FEFF).
XPS:
Hiệu chuẩn năng lượng liên kết (thường được tham chiếu trong C 1 s=284,8 eV).
Phong phù hợp (phân tích trạng thái hóa học).
6. Ưu điểm và nhược điểm
Ưu điểm:
Chọn lọc nguyên tố (cạnh hấp thụ cụ thể hoặc đỉnh quang điện tử).
Không cần phải có thứ tự quy trình dài (cho vô định hình, chất lỏng).
Giới hạn:
XAFS yêu cầu nguồn sáng có độ sáng cao (bức xạ synchrotron tối ưu).
XPS chỉ được phân tích bề mặt và có thể bị ảnh hưởng bởi hiệu ứng phí.
7. Công nghệ mở rộng
μ-XAFS: Phân tích microzone (độ phân giải không gian μm).
XAFS/XPS tại chỗ: Theo dõi thời gian thực các quá trình phản ứng (ví dụ: điện hóa, nhiệt độ cao).
8. Viết tắt chung
XAFS: Cấu trúc hấp thụ tia X
XANES: Hấp thụ tia X gần cạnh cấu trúc
EXAFS: Cấu trúc hấp thụ tia X mở rộng
XPS: quang phổ quang điện tử tia X
Trang chủMáy quang phổ phân tích cấu trúc tốt X-raySau những điểm cơ bản này, có thể tìm hiểu thêm về thiết kế thí nghiệm cụ thể, phương pháp phân tích dữ liệu hoặc phân tích vật liệu tổng hợp kết hợp với các kỹ thuật đặc tính khác như XRD, XAFS.
