Silicon Carbide SiC Long Crystal Thiết bị

Có thể đàm phánCập nhật vào05/06

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Silicon Carbide SiC Long Crystal Equipment $r$n là thiết bị chuyên nghiệp để đạt được sự tăng trưởng tinh thể SiC chất lượng cao, tổng hợp nguyên liệu có độ tinh khiết cao, xử lý nhiệt tinh thể nhiệt độ cao. Nó được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực tăng trưởng tinh thể SiC, tổng hợp nguyên liệu thô, xử lý nhiệt tinh thể. Các thỏi tinh thể có thể phát triển 6/8 inch.

Chi tiết sản phẩm

Silicon Carbide SiC Long Crystal Thiết bị

Là đạt được chất lượng cao.SiCThiết bị chuyên nghiệp cho tăng trưởng tinh thể, tổng hợp nguyên liệu có độ tinh khiết cao, xử lý nhiệt tinh thể nhiệt độ cao. Được sử dụng rộng rãi trongSiCLĩnh vực tăng trưởng tinh thể, tổng hợp nguyên liệu thô, xử lý nhiệt tinh thể. Các thỏi tinh thể có thể phát triển 6/8 inch.

Silicon Carbide SiC Long Crystal Thiết bị

碳化硅SiC长晶设备

Hệ thống khoang chân không Giới hạn hơn Giá trị chân không cơ bản đạt ≤5.0E-5Pa, tốc độ tăng ≤3Pa/12h, đảm bảo sự ổn định của sự phát triển tinh thể

. Hệ thống giám sát và tăng trưởng thông minh để đạt được tùy chỉnh chính xác nhiều quy trình sản xuất, tối ưu hóa quy trình, giám sát thời gian thực toàn bộ quá trình Longjing, lưu trữ dữ liệu trực quan

. Thiết kế cuộn dây sưởi ấm cảm ứng mới, cải thiện hiệu quả tính đồng nhất và ổn định của hệ thống sưởi ấm trường nhiệt
Hệ thống tự kiểm tra PIM sáng tạo đầu tiên trong ngành, giảm hiệu quảQuá trình lãng phí thời gian
. Hệ thống làm mát bằng nước ổn định và đáng tin cậy, đạt được đường thủyGiám sát thời gian thực của nhiệt độ đường ống, lưu lượng, đảm bảo sự ổn định của trường nhiệt độ phòng phát triển
. Có thể sản xuất 6 inch lớp P silicon carbide lót, microtubeMật độ khiếm khuyết<0,5 chiếc/cm², Điện trở suất lên tới 0,015-0,0280

Sản phẩm tương tự Khuyến nghị