Loại kháng thấp Four Probe Detector

Loại kháng thấp Four Probe Detector/Square Resistance/Mô hình phát hiện điện trở bốn đầu dò; KDY-1

Dụng cụ thông quaGB/T 1552-1995 Silicon, germanium đơn tinh thể điện trở suất xác định thẳng hàng bốn kim
（2) Phạm vi: Điện trở suất 10-5~10+3 ohm · cm, độ phân giải 10-5 ohm · cm
Điện trở khối10-4~10+4 ohms/□Độ phân giải tối thiểu 10-4 ohms/□
（3) vật liệu đo lường: vật liệu bán dẫn silicon germanium thanh, khối, tấm, phim dẫn điện vv
Kích thước bán dẫn có thể đo chính xác: Đường kính≥20㎜

Kích thước bán dẫn đo được: Đường kính≥8㎜
（4) Phương pháp đo: Đo phẳng.
（5) Đồng hồ đo điện áp: đồng hồ đo điện áp kỹ thuật số kép, có thể quan sát hiện tại, thay đổi điện áp cùng một lúc
A. Dải đo 0~19,999 mV
B. Lỗi cơ bản ± (0,004% đọc+0,01% đầy đủ)
Độ nhạy: 1uV
D Trở kháng đầu vào>1000MΩ
E 4 Hiển thị số 1/2 chữ số, 0~19999
（6) Nguồn hiện tại liên tục:
A. Đầu ra hiện tại: DC hiện tại 0,003~100 mA liên tục có thể điều chỉnh, có nguồn cung cấp điện AC
Phạm vi: 10uA, 100uA, 1 mA, 10 mA, 100 mA

C. Độ chính xác nguồn hiện tại liên tục: mỗi bánh răng đều ≤ ± 0,05%
（7) Đầu dò kiểm tra bốn đầu dò
A. Khoảng cách đầu dò 1,59㎜
B. Tốc độ di chuyển cơ khí thăm dò: ± 0,3%
C. Đường kính đầu dò 0,8㎜
D. Vật liệu đầu dò: cacbua vonfram, điện trở cách điện giữa đầu dò và đầu dò và các bộ phận khác lớn hơn 109 ohms.
（8) Giá kiểm tra: (Tùy chọn)
Hướng dẫn sử dụng Test Rack:KDJ-1A loại hướng dẫn sử dụng kiểm tra rack thăm dò được vận hành lên và xuống bằng tay, có thể được sử dụng như một thanh monocrystalline mặt cắt và kiểm tra tấm silicon, đầu dò có thể di chuyển lên và xuống khoảng cách: 120mm, kiểm tra countertop 200x200 (mm).
（9) Độ chính xác
Độ chính xác của thiết bị điện:1-1000 ohms ≤0,3%
Độ chính xác đo của toàn bộ máy:1-100 ohm · cm ≤3%
（10) Hiện tại: 220V ± 10%, 50HZ, tiêu thụ điện<35W

Loại kháng thấp Four Probe DetectorLưu ý: Nếu đo điện trở của bột kim loại phải ép mẫu thành miếng hoặc miếng để đo