Giới thiệu sản phẩm

Thách thức của hệ thống QE truyền thống trong thử nghiệm cảm biến quang điện mới:

Hầu hết các hệ thống hiệu suất lượng tử trên thị trường là "chế độ năng lượng".

Với sự phổ biến rộng rãi của các thiết bị di động, cảm biến quang điện tuyệt vời như APD, SPAD, ToF, v.v., khu vực thu gom thành phần được thu nhỏ, khu vực thu gom hiệu quả từ hàng chục micron đến hàng trăm micron (10um~200um).

"Chế độ năng lượng" tập trung chùm tia để kiểm tra các vấn đề với máy dò quang điện tốt trong một khu vực nhỏ:

a. khó khăn để đưa tất cả các photon vào khu vực thu quang hiệu quả của lớp micron (không thể đạt được yêu cầu của chế độ năng lượng)=>giá trị EQE tuyệt đối khó đạt được.

b. Trong chế độ tập trung, khó khắc phục lỗi kiểm tra do sự phân tán quang học, quang sai hình cầu, v.v. =>Đường cong phổ EQE không chính xác.

c. Khó tích hợp bàn thăm dò.

Tính năng

• Chế độ chiếu sáng (Irradiance Mode) với nguồn sáng đồng nhất Tuân thủ ASTM E1021

• Thay thế các nguồn ánh sáng nhỏ tập trung truyền thống, bạn có thể kiểm tra các máy dò quang điện tử.

• Điểm trung bình có thể khắc phục vấn đề phân tán và quang sai, có thể đo chính xác đường cong EQE

• Có thể kết hợp với nhiều hệ thống thăm dò để thực hiện kiểm tra nhanh không phá hủy.

• Tích hợp quang học và hệ thống kiểm tra, nâng cao hiệu quả xây dựng hệ thống.

• Phần mềm kiểm tra tự động tất cả trong một, lưu và phát hiện phổ tự động, hiệu quả làm việc cao.

• Đặc tính thử nghiệm:

- Hiệu quả môi trường EQE

- Phản ứng quang phổ SR

- Phát hiện đường cong IV

- Phát hiện phổ NEP

- D * Phát hiện phổ

- Biểu đồ đáp ứng tiếng ồn - dòng điện - tần số (A/Hz)-1/2; 0,01Hz ~ 1,000Hz)

–Tiếng nhấp nháy, tiếng ồn Johnson, tiếng ồn bắn 分析

Với kinh nghiệm phòng thí nghiệm phong phú và kiến thức kỹ thuật, đội ngũ chuyên gia của Guangliang Technology Enlitech có thể hướng dẫn khách hàng kiểm tra chính xác trực tuyến hoặc tại chỗ. Ví dụ: bằng cách phân tích chi tiết biểu đồ tần số dòng điện nhiễu, Enlitech giúp khách hàng xác định các lỗi thử nghiệm tiềm ẩn và tối ưu hóa các thông số thử nghiệm để tăng độ chính xác và khả năng lặp lại của thử nghiệm.

Enlitech hiểu rõ rằng trong lĩnh vực quang điện, kiểm tra chính xác là rất quan trọng để phát triển sản phẩm và kiểm soát chất lượng. Khách hàng thường bị nhầm lẫn khi phải đối mặt với các thử nghiệm như tần số dòng điện nhiễu, hiệu suất lượng tử (EQE), độ phát hiện (D*) và công suất tương đương tiếng ồn (NEP) do sự phức tạp của việc điều chỉnh thiết bị và dữ liệu không ổn định. Đối với những điểm đau này, Enlitech cung cấp một giải pháp toàn diện.

Các chỉ số như EQE và D * ảnh hưởng trực tiếp đến độ nhạy và hiệu suất của máy dò quang điện, đặc biệt quan trọng trong các lĩnh vực công nghệ cao như chất bán dẫn, thông tin liên lạc và hàng không vũ trụ. Dữ liệu kiểm tra chính xác không chỉ giúp khách hàng nâng cao chất lượng sản phẩm mà còn giảm chu kỳ phát triển sản phẩm và tiết kiệm chi phí.

Công nghệ chuyên nghiệp

Kích thước điểm tùy chỉnh cường độ ánh sáng

Quang Diễm công nghệ APD-QE quang phổ kế hệ thống kiểm tra hiệu quả lượng tử trong chùm trực tiếp đến kích thước chùm 25 mm, khoảng cách làm việc 200mm điều kiện kiểm tra, có thể đạt được cường độ ánh sáng và cường độ ánh sáng như sau. Ở bước sóng 530nm, cường độ ánh sáng có thể đạt 82,97uW/(cm 2).

Chức năng kiểm soát định lượng:

　　Hệ thống phát hiện hiệu suất lượng tử cảm biến ánh sáng APD-QE có chức năng "định lượng" (tùy chọn), người dùng có thể kiểm soát số lượng photon đơn sắc để số lượng photon mỗi bước sóng giống nhau và tiến hành kiểm tra. Đây cũng là công nghệ độc đáo của hệ thống phát hiện hiệu suất lượng tử cảm biến ánh sáng APD-QE mà các nhà sản xuất khác không thể làm được.

Sử dụng chế độ điều khiển số con định lượng (chế độ điều khiển CP), thay đổi số con có thể<1%

Thông số hệ thống

◆Hệ thống quang học đồng nhất được tích hợp với bàn thăm dò:

◆Điểm trung bình cao:Hệ thống homogenization quang học Li-Fourier đã được sử dụng để đồng nhất hóa sự phân bố không gian cường độ ánh sáng đơn sắc. Phát hiện cường độ ánh sáng 5 x 5 trên diện tích 10mm x 10mm, sự không nhất quán ở 470nm, 530nm, 630nm, 850nm có thể nhỏ hơn 1%. Kiểm tra cường độ ánh sáng 10 x 10 moment trên diện tích 20mm x 20mm, sự không nhất quán có thể nhỏ hơn 4%.

Ứng dụng

Ứng dụng 2: Bóng bán dẫn cổng photodiode cho cảm biến và hình ảnh có độ lợi cao:

Trong các ứng dụng cảm biến và hình ảnh quang học, để tăng độ nhạy và SNR, APS (cảm biến pixel hoạt động) bao gồm một máy dò quang điện hoặc một diode quang điện và một số bóng bán dẫn tạo thành một mạch đa thành phần. Một trong những đơn vị quan trọng: bộ khuếch đại trong pixel, còn được gọi là nguồn theo dõi, là phải được sử dụng. APS đã phát triển từ mạch ba ống thành mạch năm ống kể từ khi ra đời để giải quyết các vấn đề như nhuộm quầng, tiếng ồn đặt lại. Ngoài APS, Avalanche Photodiodes (APD) và các sản phẩm liên quan của nó: Silicon Photo Multiplier (SiPM) cũng có độ nhạy cao. Tuy nhiên, vì điện trường cao phải được sử dụng để bắt đầu tăng gấp đôi quang điện và va chạm ion hóa, tiếng ồn phân tán gây ra bởi trường cao trong các thiết bị này là nghiêm trọng.

Gần đây, khái niệm thiết bị cho một transistor cổng hoạt động photodiode (PD) dưới ngưỡng đã được đề xuất. Nó không yêu cầu trường cao hoặc mạch đa transistor để đạt được mức tăng cao. Độ lợi bắt nguồn từ hiệu ứng điều chế cổng do ánh sáng gây ra, và để đạt được điều này, các hoạt động dưới ngưỡng phải được thực hiện. Nó cũng tích hợp PD theo chiều dọc với bóng bán dẫn trong định dạng APS đơn bóng bán dẫn (1-T) nhỏ gọn, cho phép độ phân giải không gian cao. Khái niệm thiết bị này đã được thực hiện trong các hệ thống vật liệu khác nhau, làm cho nó trở thành một công nghệ thay thế khả thi cho các cảm biến quang học có độ lợi cao.

Hệ thống APD-QE được dành riêng để nghiên cứu và phân tích các bóng bán dẫn màng silicon vô định hình được điều khiển bằng cổng photodiode:

1. Đặc tính đường cong truyền ánh sáng ở cường độ ánh sáng khác nhau.

B5-05=giá trị thông số Kd, (cài 2)

3. Đặc tính đầu ra transistor có/không phơi sáng.

4. Hiệu suất lượng tử với quang phổ tăng nhạy sáng.

(a)a-Si: Sơ đồ cấu trúc TFT của H Photodiode Gate Control LTPS;(b)Sơ đồ mạch tương đương hiển thị APS với SNR cao

(a)Ảnh hiển vi của pixel;(b)Vi ảnh chụp của một số mảnh;(c)Hình ảnh của chip cảm biến hình ảnh