Danh mục sản phẩm

Công ty TNHH Công nghệ Quang Diễm

Thông tin E-mail
qeservice@enli.com.tw
Điện thoại
18512186724
Địa chỉ
Phòng 409, Tòa nhà A, 169 Shengxia Road, Pudong Xinqu, Thượng Hải

Liên hệ bây giờ

Máy phân tích tổn thất hiệu quả pin quang điện Enlitech

Có thể đàm phánCập nhật vào01/27

Mô hình

Thiên nhiên của nhà sản xuất: Nhà sản xuất

Danh mục sản phẩm

Nơi xuất xứ

Tư vấn trực tuyến

Tổng quan

Máy phân tích tổn thất hiệu quả pin quang điện QE-RX có thể được sử dụng để nghiên cứu và phát triển pin mặt trời hiệu quả cao. QE-RX không chỉ có thể đo dữ liệu PV-EQE, độ phản xạ và PV-IQE mà còn có thể phân tích tổn thất Jsc, Voc và FF bằng cách kết hợp phần mềm phân tích SQ-JVFLA. Guangliang đã tích hợp ba chức năng thử nghiệm khác nhau trong QE-RX và phát triển phần mềm SQ-JVFLA để giúp người dùng phân tích ba tổn thất khác nhau bằng cách sử dụng lý thuyết giới hạn nhiệt Shockley-Queisser.

Chi tiết sản phẩm

Dụng cụ phòng thí nghiệm để nâng độ chính xác Mô phỏng ánh sáng mặt trời AM1.5G với hiệu suất pin mặt trời PV - Giải pháp phân tích tổn thất với máy quan sát điểm SPOT-V

Enlitech 光伏电池效率损失分析仪

Tại sao máy quan sát đốm sáng có thể giúp bạn tiến bộ trong nghiên cứu khoa học?

· Quan sát rõ ràng: Trong phòng tối hoặc môi trường thí nghiệm với ánh sáng hạn chế, điểm sáng cũng có thể được quan sát rõ ràng để đảm bảo mẫu nằm trong khu vực ánh sáng tốt.

· Dễ sử dụng: Plug and Play, không cần cài đặt rườm rà, phù hợp với nhiều hệ thống quang phổ khác nhau, giúp bạn dễ dàng nắm bắt vị trí điểm.

Ứng dụng đa chức năng: Cho dù đó là các mẫu nhỏ hay các thí nghiệm quang phổ phức tạp, hỗ trợ quan sát đáng tin cậy để giúp bạn thiết kế thí nghiệm và phân tích dữ liệu chính xác.

· Hiệu quả nâng cao: Máy quan sát điểm có thể tránh hiệu quả vấn đề dịch chuyển điểm hoặc dịch chuyển mẫu, đảm bảo độ chính xác của mỗi phép đo, nâng cao hiệu quả thí nghiệm và giảm lỗi.

Tính năng

Các tính năng của QE-RX PV Cell Efficiency Loss Analyzer như sau:

Enlitech 光伏电池效率损失分析仪

* Độ chính xác cao và độ không chắc chắn thấp

Hiệu chuẩn QE-RX là NIST truy xuất nguồn gốc, làm cho dữ liệu thử nghiệm của QE-RX ít không chắc chắn hơn bất kỳ hệ thống thử nghiệm EQE nào khác. QE-RX được phát triển bởi Enlitech, một phòng thí nghiệm hiệu chuẩn 10 năm được chứng nhận ISO/IEC 17025. Điều này làm cho kết quả thử nghiệm của QE-RX trên pin mặt trời Si rất chính xác. Dựa vào QE-RX, nó sẽ cung cấp cho bạn kết quả đáng tin cậy.

Enlitech 光伏电池效率损失分析仪

* Cấu trúc nhỏ gọn nhưng đa chức năng

QE-RX tích hợp tất cả các thành phần quang học và cơ khí bên trong thân máy 80cm x 80cm x 60cm, bao gồm bộ khuếch đại khóa thu tín hiệu điện. Không giới hạn ở kích thước nhỏ gọn của nó, QE-RX vẫn cung cấp nhiều dữ liệu thử nghiệm khác nhau, bao gồm EQE cho pin mặt trời, phản ứng quang phổ, phản xạ và IQE. Nhỏ gọn và linh hoạt là lợi thế của QE-RX.

Enlitech 光伏电池效率损失分析仪

* Phân tích tổn thất điện

QE-RX, kết hợp với phần mềm SQ-JVFL, có thể cung cấp các tính năng phân tích hoàn chỉnh nhất bao gồm Jsc-loss, Voc-loss, FF-loss và tính toán khe băng. Các thông số này là những yếu tố quan trọng trong việc kiểm soát sản xuất và khuyến nghị hiệu quả, làm cho QE-RX trở thành một đối tác tuyệt vời trong ngành công nghiệp quang điện.

. Được sử dụng trong PESC, PERC, PERL, HJT, Back Contact, Double Side và TOP Con Silicon Solar Cell

Cung cấp dữ liệu về QE (hiệu suất lượng tử), PV-EQE (hiệu suất lượng tử bên ngoài), IPCE (hiệu suất chuyển đổi photon-electron tới), SR (phản ứng quang phổ), IQE (hiệu suất lượng tử bên trong) và độ phản xạ.

Cấu trúc nhỏ gọn và độ lặp lại cao hơn 99,5%.

. Phạm vi bước sóng: 300~1200 nm

.Jsc phân tích và báo cáo tổn thất (sử dụng phần mềm SQ-JVFLA).

Phân tích và báo cáo tổn thất nghề nghiệp (sử dụng phần mềm SQ-JVFLA).

Phân tích và báo cáo tổn thất FF (sử dụng phần mềm SQ-JVFLA).

Báo cáo đánh giá độ không đảm bảo EQE được cung cấp và kiểm soát chất lượng được chứng nhận ISO/IEC 17025 để đóng góp bài báo trên tạp chí.

. Thiết bị kiểm tra mẫu đa dạng và tùy chỉnh.

Thiết kế hệ thống

Enlitech 光伏电池效率损失分析仪

quy cách

Chức năng máy chủ QE-RX

Ø Phạm vi bước sóng đo: 300-1200nm (có thể mở rộng)

Ø Độ lặp lại đo trên mỗi bước sóng: 300-390nm Độ không lặp lại trung bình ≤0,3%, 400-1000 nm Độ không lặp lại trung bình ≤0,15%. Bước sóng 1000-1200nm Độ không lặp lại trung bình ≤0,25%

Ø Mật độ hiện tại ngắn mạch Không lặp lại ≤0,1%

Độ chính xác<0,1%

Ø 10 phép tính trung bình không lặp lại=độ lệch chuẩn tương đối/giá trị trung bình * 100%

Ø Thời gian đo: 300-1200nm, khoảng thời gian quét 10nm, đo không quá 3 phút

Ø Đo tối: 80cm đo mặt nạ phòng tối

Môi trường áp dụng: Nhiệt độ 15~35 độ, độ ẩm 20%~65%

Ø Có ba phân tích tổn thất chính là dòng ngắn mạch, điện áp mạch mở và các yếu tố làm đầy

Chức năng phần mềm

Ø Hiệu chỉnh cường độ ánh sáng tuyệt đối

Ø Đo phản ứng quang phổ

Ø Đo lường hiệu suất lượng tử bên ngoài (EQE)

Phân tích khe năng lượng băng thông (Bandgap)