Nhà máy chưng cất lớp EP là thiết bị cốt lõi để sản xuất khí đặc biệt điện tử. Nó làm cho độ tinh khiết của khí đạt hơn 99,999% bằng cách tinh chế chính xác, đáp ứng nhu cầu bán dẫn
I. Định nghĩa cốt lõi và ứng dụng kịch bản
Nhà máy chưng cất lớp EP, nhà máy chưng cất lớp Electronic Pure, là thiết bị tinh chế khí có độ chính xác cao được thiết kế đặc biệt cho ngành công nghiệp điện tử. Nó loại bỏ các tạp chất vi lượng trong khí (như độ ẩm, ion kim loại, hydrocarbon, v.v.) thông qua nhiều quá trình tinh chế chính xác, cuối cùng làm cho độ tinh khiết của khí đạt trên 99,999% (5N), và một số cảnh có thể đạt được độ tinh khiết 99,9999% (6N).
Chủ yếu được sử dụng trong sản xuất chip bán dẫn, sản xuất pin PV, xử lý linh kiện điện tử và các lĩnh vực khác, để khắc, lắng đọng và các quá trình quan trọng khác để cung cấp khí điện tử đặc biệt có độ tinh khiết cao (như hydro, oxy, amoniac, vv), ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất và tỷ lệ sản phẩm.
II. Nguyên tắc làm việc cốt lõi
Dựa trên nguyên tắc chưng cất "sự khác biệt về điểm sôi của các chất khác nhau", kết hợp với các yêu cầu khắt khe của sản xuất cấp điện tử, quy trình được chia thành ba bước:
Giai đoạn tiền xử lý: Khí thô được lọc trước, sấy khô và tiền xử lý khác, loại bỏ hầu hết các hạt rắn và độ ẩm, tránh tắc nghẽn hoặc ô nhiễm thiết bị tiếp theo.
Giai đoạn tinh chế chính xác: Khí sau khi xử lý trước đi vào tháp tinh chế đặc biệt, bên trong tháp tăng diện tích tiếp xúc với chất lỏng khí thông qua tấm tháp hoặc chất độn. Sử dụng chu kỳ sưởi ấm đáy tháp, ngưng tụ đỉnh tháp, làm cho các thành phần dễ bay hơi (khí mục tiêu) trong khí liên tục tách ra khỏi các thành phần khó bay hơi (tạp chất), dần dần nâng cao độ tinh khiết.
Giai đoạn tinh chế sau: khí được sản xuất từ đỉnh tháp tinh chế, sau đó được hấp phụ và tách màng và tinh chế thứ cấp khác, tiếp tục làm giảm hàm lượng tạp chất dấu vết và cuối cùng đạt tiêu chuẩn lớp EP.
III. Các tính năng kỹ thuật chính
Vật liệu đặc biệt: để đáp ứng nhu cầu tinh chế, EP cấp thiết bị tinh chế tiếp xúc với các bộ phận khí (chẳng hạn như tháp chưng cất, đường ống, van) sử dụng thép không gỉ 316L hoặc Hastelloy, và các bức tường bên trong được đánh bóng điện phân (EP đánh bóng), giảm sự hấp phụ tạp chất và hòa tan.
Kiểm soát chính xác: Được trang bị nhiệt độ, áp suất, cảm biến lưu lượng và hệ thống điều khiển tự động có độ chính xác cao, có thể điều chỉnh các thông số chưng cất trong thời gian thực (chẳng hạn như chênh lệch nhiệt độ trong tháp được kiểm soát trong ± 0,1 ℃), đảm bảo độ tinh khiết ổn định.
Thiết kế rò rỉ cực thấp: Sử dụng cấu trúc kín và công nghệ phát hiện rò rỉ phổ khối helium, tỷ lệ rò rỉ được kiểm soát dưới 1 × 10 ⁻Pa ⁹m³/s để ngăn tạp chất bên ngoài xâm nhập.