Máy quang phổ liên tục siêu rộng với lăng kính kép

Sự xuất hiện của máy đơn sắc quang phổ liên tục siêu rộng DPM100 với lăng kính kép đã phá vỡ thành công những hạn chế của máy đơn sắc truyền thống về phạm vi phổ và nhiễu loạn, mang lại sự gia tăng rõ rệt trong việc áp dụng công nghệ quang phổ. Nó bao gồm quang phổ siêu rộng 0,4-7,3 eV, có thể đo liên tục từ hồng ngoại đến dải UV sâu, khả năng ức chế nhiễu loạn lên đến 8 bậc độ lớn, cũng có lợi thế về độ phân giải cao và đo lường hiệu quả cao.

Thoát khỏi cái kén | DPM100Máy quang phổ liên tục siêu rộng với lăng kính kép

Đi đầu trong khoa học vật liệu, các kỹ thuật quang phổ học - bao gồm cặp điện áp quang bề mặt (SPV), phổ quang điện (PCS), phổ phát xạ quang điện tử (PES), phổ truyền quang học (OTS), v.v. - đang dần trở thành tiêu chuẩn mới để phát hiện trạng thái khiếm khuyết của chất bán dẫn. Tuy nhiên, đơn sắc kế truyền thống bị hạn chế bởi phạm vi phổ và nhiễu loạn, gây khó khăn cho việc thực hiện các phép đo liên tục, chính xác cao, điều này phần nào hạn chế tiềm năng ứng dụng của các công nghệ liên quan. Giờ đây, giới hạn này đã bị phá vỡ: được phát triển bởi nhóm Helmholtz-Zentrum (Berlin) kết hợp với Freiberg Instruments.DPM100Máy quang phổ liên tục siêu rộng với lăng kính képVới dải quang phổ cực rộng 170-3100nm và lợi thế ức chế nhiễu loạn 8 bậc độ lớn, nó mở ra một chiều hướng hoàn toàn mới cho các ứng dụng quang phổ, đặc biệt là công nghệ điện áp bề mặt (Surface Photovoltage, SPV).

Giới thiệu sản phẩm mới:

Các hệ thống quang học truyền thống thường dựa vào gương để thay đổi đường dẫn ánh sáng, nhưng gương cần được hiệu chỉnh chính xác và dễ bị rung. Và DPM100 là một đơn sắc kế dựa trên thiết kế khung lăng kính thạch anh nóng chảy không gương lật, cho phép chuyển hướng ánh sáng trực tiếp thông qua các đặc tính phản xạ bên trong đầy đủ của lăng kính và giảm việc sử dụng gương bên ngoài. Đạt được các phép đo liên tục từ tia hồng ngoại gần (0,4 eV) đến tia cực tím sâu (7,3 eV), như thể hiện trong Hình 1. Những đổi mới quan trọng của nó nằm trong hệ thống xoay lăng kính kép được hướng dẫn bằng đường ray quang học và thiết kế ống kính tiêu cự thích ứng, đảm bảo độ phân giải phổ lên tới mức meV (ví dụ: độ phân giải vùng UV thấp tới 7 meV). Được tối ưu hóa cho các phép đo quang điện có độ nhạy cao, thiết bị nhỏ gọn này là nguồn sáng lý tưởng cho các ứng dụng như SPV.

Hình 1: Thiết kế khái niệm đơn sắc kế quang phổ liên tục siêu rộng DPM100, cấu trúc lăng kính kép để đạt được vùng phủ sóng liên tục phổ rộng

Tổng quan về sản phẩm:

Sự xuất hiện của DPM100 đã phá vỡ thành công giới hạn của máy đơn sắc truyền thống về phạm vi quang phổ và nhiễu loạn, mang lại sự cải thiện rõ rệt cho việc áp dụng công nghệ quang phổ. Nó bao gồm quang phổ siêu rộng 0,4-7,3 eV, có thể đo liên tục từ hồng ngoại đến dải UV sâu, khả năng ức chế nhiễu loạn lên đến 8 bậc độ lớn, cũng có lợi thế về độ phân giải cao và đo lường hiệu quả cao. Điều này là sự hỗ trợ mạnh mẽ cho các công nghệ quang phổ như điện áp quang học bề mặt, phổ dòng điện thoáng qua kích thích ánh sáng, phổ quang điện tử UV, quang phổ phát quang, đặc biệt là trong công nghệ SPV, có thể đáp ứng tốt hơn nhu cầu của các tình huống như phát hiện khiếm khuyết chất bán dẫn, cung cấp các công cụ thực tế và đáng tin cậy cho việc triển khai sâu các ứng dụng quang phổ này.

Lợi thế sản phẩm:

I. Quang phổ liên tục siêu rộng

Vật liệu phủ sóng 0,4-7,3 eV (dải bước sóng tương ứng: 3100-170 nm), hỗ trợ liền mạch các phép đo phổ toàn dải từ hồng ngoại đến tia cực tím sâu mà không cần chuyển đổi lưới hoặc bộ lọc như trong Hình 2. Cấu trúc này tránh đứt gãy quang phổ gây ra bởi việc chuyển đổi lưới, và các thiết bị truyền thống có thể đạt được lỗi tại bàn giao ánh sáng cực tím-nhìn thấy được. Phạm vi phổ năng lượng siêu rộng phù hợp với phân tích toàn phổ khiếm khuyết của các vật liệu bị cấm siêu rộng như SiC (3,3 eV), GaO (4,8 eV) và kim cương (5,5 eV).

Hình 2: Monochrometer Full Band Output Continuous Spectrum (0,4-7,3 eV) liên quan đến cường độ

II. Kiến trúc lăng kính đôi thạch anh nóng chảy mirrorless

Phù hợp với việc thổi khí nitơ, loại bỏ sự suy giảm UV sâu do tổn thương lớp phủ gương, thiết kế này đảm bảo sự ổn định năng lượng toàn dải 170-3100 nm>95%, trong khi tổn thất phổ của thiết bị truyền thống trong dải dưới 250 nm sẽ vượt quá 60%.

III. Khả năng ức chế nhiễu loạn cao cấp

Khả năng ức chế hơn 8 bậc cường độ (nhiễu loạn thực tế thấp tới 100 fA), đảm bảo tín hiệu quang phổ tinh khiết và phát hiện chính xác trạng thái khiếm khuyết yếu.

IV. Độ nhạy và hiệu quả cao

Kết hợp với máy dò phạm vi rộng 210 dB (DE102023003991.8) có thể đo dòng điện yếu cấp fA, thời gian đo điểm đơn chỉ cần 1-7 giây, cải thiện đáng kể hiệu quả thí nghiệm.