Chào mừng khách hàng!

Thành viên

Trợ giúp

Shenzhen Bonard Precision Instrument Co., Ltd
Nhà sản xuất tùy chỉnh

Sản phẩm chính:

instrumentb2b>Sản phẩm
Danh mục sản phẩm

Shenzhen Bonard Precision Instrument Co., Ltd

  • Thông tin E-mail

  • Điện thoại

  • Địa chỉ

    Phòng 505, Tòa nhà C, Tòa nhà Thương mại Hongdu, Phường 45, Quận Baoan, Thâm Quyến

Liên hệ bây giờ

ALPHALAS Subnanosecond Q-Switched Proxy Laser trạng thái rắn Microchip

Có thể đàm phánCập nhật vào05/06
Mô hình
Thiên nhiên của nhà sản xuất
Nhà sản xuất
Danh mục sản phẩm
Nơi xuất xứ

Tổng quan

PULSELAS #174; - Laser dòng A sử dụng thiết kế hộp tự nghiên cứu và có thể tạo ra xung laser cực ngắn. Buồng cộng hưởng laser bán mảnh là cấu trúc chuẩn trực và hoạt động ổn định. Xung laser cấp vài kilowatt có thể ngắn nhất 500 ps, điển hình là 500 ps rung theo thứ tự thời gian tín hiệu bên ngoài tương đối, cấu hình tùy chọn có thể thấp tới 200 ps. PULSELASamp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp;amp; #174; - Tác nhân laser trạng thái rắn ALPHALAS Subnanosecond Q-Switched

Chi tiết sản phẩm

Thâm Quyến Bonard Precision Instrument Co, Ltd là nhà cung cấp thiết bị nhập khẩu, các sản phẩm của chúng tôi bao gồm laser ALPHALAS, máy đo công suất laser, máy phân tích chùm, bộ thu chùm, máy phân tích điểm, laser sợi quang zoom liên tục công suất cao FAC, GTE Đức, hhb Electronics Đức, laser Helium Neon Pacific Lasertec, bộ khuếch đại SRS Stanford, máy băm quang học Scitec, thiết bị hệ thống phòng thí nghiệm AA, bộ khuếch đại DL Instruments và các thiết bị chuyên nghiệp khác, nếu có nhu cầu có thể liên hệ với chúng tôi để được tư vấn.

PULSELAS ®- A

PULSELAS ®- Laser A-series sử dụng thiết kế hộp tự nghiên cứu và có thể tạo ra xung laser cực ngắn. Buồng cộng hưởng laser bán mảnh là cấu trúc chuẩn trực và hoạt động ổn định.

Xung laser cấp kilowatt có thể ngắn nhất là 500 ps, điển hình là 500 ps rung theo thứ tự thời gian tín hiệu bên ngoài tương đối, và cấu hình tùy chọn có thể thấp tới 200 ps.

Hệ thống laser khuếch đại năng lượng cao (MOPA) phát ra năng lượng xung trên 1 mJ và chiều rộng xung dưới 1 ns, cho phép công suất cực đại cao hơn 1 MW.

Tần số lặp lại tùy chọn của thiết bị là 10 kHz đến 100 kHz và công suất đầu ra trung bình là 100 mW đến>1 W.

Mô hình tiêu chuẩn bao gồm các bước sóng 1047 nm, 1053 nm, 1062 nm, 1064 nm, với các mô hình 946 nm, 1342 nm tùy chọn, chiều rộng xung<5 ns. Mô-đun biến tần có thể được tùy chọn để đạt được đầu ra ánh sáng đỏ (671 nm), ánh sáng xanh (532 nm), ánh sáng xanh (473 nm) và ánh sáng cực tím (355 nm, 266 nm).

Thiết bị có cấu trúc nhỏ gọn và có thể phù hợp với hầu hết các kịch bản tích hợp hệ thống.

Loạt laser đặc biệt này có một loạt các kịch bản ứng dụng, bao gồm nhiều lĩnh vực như sản xuất quang phổ siêu liên tục của sợi quang tinh thể photon và phát hiện quang phổ sự cố laser.

Thông số kỹ thuật

model PULSELAS-A-1064-300 PULSELAS-A-1064-500 PULSELAS-A-1064-600-HP PULSELAS-A-1064-1000-HP¹ ⁾
Bước sóng 1064 nm 1064 nm 1064 nm 1064 nm
Năng lượng xung đơn 20 µJ @ 1 kHz 40 µJ @ 1 kHz 50 µJ @ 1 kHz 100 µJ @ 1 kHz
Công suất trung bình ở tần số lặp lại tối đa kiểu. 300 mW @ 20 kHz kiểu. 500 mW @ 25 kHz kiểu. 600 mW @ 25 kHz kiểu. 700 mW @ 10 kHz
Chiều rộng xung 0.7–1.0 ns 1.0–1.5 ns 1.5–2.0 ns 1.5–3.0 ns
Tần số lặp lại 0-20 kHz 0-25 kHz 0-25 kHz 0-10 kHz
Chế độ chùm tia TEM₀₀ TEM₀₀ TEM₀₀ TEM₀₀
Tỷ lệ phân cực >100:1 >100:1 >100:1 >100:1
Đường kính chùm tia 0,3 mm 0,3 mm 0,3 mm 0,3 mm
Góc phân kỳ chùm tia kiểu. 3 mẫu kiểu. 3 mẫu kiểu. 3 mẫu kiểu. 3 mẫu
Mất ổn định điện < 3% RMS < 3% RMS < 3% RMS < 3% RMS
Nhiệt độ làm việc của tản nhiệt +18…+30 ℃ +18…+30 ℃ +18…+30 ℃ +18…+30 ℃
Kích thước đầu laser 40 × 52 × 140 mm³ 40 × 52 × 140 mm³ 40 × 52 × 140 mm³ 60 × 70 × 180 mm³
Mô hình/kích thước trình điều khiển LD&TEC LDD1-1T-D
105 × 65 × 100 mm³
LDD1-1T-D
105 × 65 × 100 mm³
LDD1-1T-D
105 × 65 × 200 mm³
LDD1-1T-F
105 × 65 × 200 mm³
Mô hình/kích thước trình điều khiển hộp Puker Sản phẩm PCD-1002
105 × 44 × 100 mm³
Sản phẩm PCD-1002
105 × 44 × 100 mm³
Sản phẩm PCD-1002
105 × 44 × 100 mm³
Sản phẩm PCD-1002
105 × 44 × 100 mm³
Nhiệt độ hoạt động +18…+30 ℃ +18…+30 ℃ +18…+30 ℃ +18…+30 ℃
Nhiệt độ lưu trữ không có độ ẩm -10…+50 ℃ -10…+50 ℃ -10…+50 ℃ -10…+50 ℃


đặc điểm

Chủ động chuyển Q

Nhỏ gọn

Tự nghiên cứu thiết kế Q-switch điện nhỏ

Kích thước: 1047 nm, 1053 nm, 1062 nm, 1064 nm

Rung thời gian cực thấp (điển hình<500 ps, tùy chọn 200 ps rms)

Năng lượng xung lên đến 100 µJ (lên đến 1 mJ với MOPA)

Công suất đỉnh lên đến 150 kW

Tần số lặp lại tối đa 100 kHz

Công suất trung bình>1 W

Đầu ra biến tần tùy chọn: 266 nm, 355 nm, 473 nm, 532 nm, 671 nm

ứng dụng

Xử lý vật liệu

Gia công vi mô

Đánh dấu và cắt vật liệu siêu cứng (như kim cương)

Quang học phi tuyến

Sản xuất phổ siêu liên tục

Đo huỳnh quang phân biệt thời gian

Phân tích DNA

LiDAR và phạm vi laser

Giám sát ô nhiễm

Quang phổ đánh bại do laser gây ra (LIBS)

Thiết bị đốt và đánh lửa khí hỗn hợp

Đức Alphalas GmbH

Alphalas GmbH là nhà sản xuất laser của Đức. Là một công ty laser công nghệ cao, chúng tôi cung cấp một loạt các sản phẩm trong lĩnh vực laser, quang học và các sản phẩm điện tử liên quan đến laser. Được thành lập vào năm 1997, công ty có trụ sở tại thành phố đại học Göttingen. Người sáng lập và Chủ tịch, Giáo sư Tiến sĩ Krasimir Stankov có hơn 35 năm kinh nghiệm trong lĩnh vực phát triển laser và hệ thống laser.

Các hoạt động kinh doanh chính của ALPHALAS bao gồm nghiên cứu, phát triển, sản xuất và tiếp thị laser, hệ thống laser, các sản phẩm và linh kiện điện tử liên quan đến laser. Sản phẩm chính là khóa khuôn tiên tiến, sóng liên tục và Q-switch diode bơm laser trạng thái rắn. ALPHALAS tập trung vào các xung ngắn (nano giây, picosecond và femto giây) và thiết kế vi mạch, nhưng chúng tôi cũng cung cấp gần như tất cả các loại laser trạng thái rắn bơm diode nhỏ gọn, hiệu quả phổ biến.

PULSELAS ®- Dòng AALPHALAS Subnanosecond Q-Switched Proxy Laser trạng thái rắn Microchip

PULSELAS ®- Dòng AALPHALAS Subnanosecond Q-Switched Proxy Laser trạng thái rắn Microchip