Kính hiển vi kiểm tra waferHình ảnh của bề mặt wafer được phóng đại thông qua hệ thống ống kính quang học, chiếu lên thị kính hoặc cảm biến hình ảnh để quan sát và phân tích. Một số kính hiển vi cũng sử dụng các phương pháp chiếu sáng và công nghệ tương phản khác nhau, chẳng hạn như trường sáng, trường tối, chênh lệch giao thoa vi phân (DIC), v.v., để tăng cường độ tương phản của hình ảnh và làm cho các khiếm khuyết và đặc điểm cấu trúc rõ ràng hơn.

　　Kính hiển vi kiểm tra waferỨng dụng như sau:

1, Phát hiện khuyết tật bề mặt wafer

Phát hiện dư thừa: bằng cách khuếch đại 50-1000 lần, kết hợp với ánh sáng MIX quang học, xác định chính xác các hạt nano đến bụi micron, tránh thất bại các đặc tính điện.

Phân tích thiệt hại cơ học: Phát hiện các vết trầy xước hình cung do mài cơ học hóa học (CMP) và đánh giá tác động của thiệt hại đối với kết nối mạch.

Sàng lọc khuyết tật tinh thể: Sử dụng công nghệ DIC để xác định lỗi đường trượt và lớp xếp chồng, cải thiện tỷ lệ sản phẩm tốt.

2. Kiểm soát chất lượng quá trình in thạch bản

Phát hiện độ chính xác căn chỉnh mẫu: Xác minh rằng mẫu mạch được hình thành bởi phơi sáng và phát triển phù hợp với yêu cầu thiết kế và tránh độ lệch chiều rộng đường.

Phân tích độ đồng nhất chiều rộng đường: đo lường sự thay đổi chiều rộng đường bằng thiết bị CD-SEM (chụp chùm tia điện tử) hoặc OCD (kích thước quan trọng quang học) để đảm bảo sự ổn định của quy trình.

B5-03=giá trị thông số Ki, (cài 3)

Kiểm tra chất lượng điểm hàn: phát hiện các khuyết tật về hình dạng, kích thước và hàn giả, ngắn mạch, đảm bảo độ tin cậy của gói.

Căn chỉnh giữa các lớp và đo độ dày: Xác minh độ chính xác chồng chất của lớp kim loại/phương tiện truyền thông nhiều lớp, đo sự thay đổi độ dày giữa các lớp, phù hợp với đặc điểm kỹ thuật thiết kế.

Phân tích kính hiển vi điện tử truyền qua (TEM): Cung cấp hình ảnh mặt cắt của độ phân giải nguyên tử, kết hợp với phân tích phổ năng lượng để phân phối các yếu tố và xác định nguồn gốc của sự thất bại.

4, Hỗ trợ quy trình

Phát hiện chất bán dẫn hợp chất: chẳng hạn như hình ảnh khuyết tật chất nền silicon carbide (SiC), hỗ trợ kênh phát hiện quang điện, thể hiện rõ khuyết tật mạng tinh thể.

Quan sát cấu trúc 3D: Phát hiện độ chính xác căn chỉnh và chất lượng giao diện của cấu trúc xếp chồng 3 chiều bằng cách nghiêng và xoay mẫu nhiều góc.