Kính hiển vi kiểm tra waferLà dụng cụ quang học được sử dụng để phát hiện bề mặt và cấu trúc bên trong của wafer bán dẫn, có thể giúp các kỹ thuật viên nhanh chóng phát hiện ra các khuyết tật trên wafer và đảm bảo chất lượng sản phẩm.
Chức năng chính:
Phát hiện khuyết tật: Có thể nhanh chóng phát hiện các vết trầy xước, ô nhiễm, lỗ hổng, vết nứt và các khuyết tật khác trên bề mặt wafer, cũng như các bất thường trong cấu trúc bên trong.
Đo kích thước: Các phép đo chính xác về chiều rộng đường, kích thước đồ họa, khoảng cách, v.v. trên wafer có thể được thực hiện thông qua phần mềm đo lường được trang bị.
Phân tích hình ảnh: Hình ảnh thu được có thể được xử lý và phân tích, chẳng hạn như điều chỉnh độ tương phản, phát hiện cạnh, phân loại lỗi, v.v., để cung cấp hỗ trợ dữ liệu cho kiểm soát chất lượng và cải tiến quy trình.
Kính hiển vi kiểm tra waferThông qua sự kết hợp của hệ thống quang học và công nghệ hình ảnh để thực hiện quan sát chính xác các cấu trúc vi mô bề mặt và bên trong wafer, nguyên tắc cốt lõi của nó:
Hệ thống hình ảnh quang học
Chế độ chiếu sáng: Hỗ trợ truyền (cho wafer trong suốt/mờ) và phản xạ (cho wafer mờ), loại nguồn sáng bao gồm đèn halogen, đèn LED, v.v., trong đó đèn LED trở thành dòng chính do tuổi thọ cao và nhiệt thấp.
Mục tiêu và thị kính: Mục tiêu là một thành phần quang học quan trọng, cung cấp nhiều độ phóng đại như 5X, 10X, 20X, 40X, v.v., thị kính phóng đại hình ảnh hơn nữa.
Gương tập trung: Thông qua điều chỉnh khẩu độ số, tập trung ánh sáng nguồn vào bề mặt wafer, tăng cường độ sáng của ánh sáng và nâng cao độ rõ quan sát.
Công nghệ quan sát đa chế độ
Quan sát trường sáng/trường tối: phát hiện trường sáng xác định các khuyết tật lớn hơn như vết trầy xước, hạt bằng cách thay đổi cường độ ánh sáng phản xạ; Kiểm tra trường tối thì sử dụng ánh sáng tán xạ để phân tích những khiếm khuyết nhỏ ở mức 100 nanomet.
Giao thoa vi phân (DIC): Tăng cường độ tương phản của hình ảnh thông qua sự khác biệt quang phổ, trình bày rõ ràng cấu trúc lập thể của các khiếm khuyết tinh thể.
Quan sát huỳnh quang và phân cực: mô-đun huỳnh quang có thể được tùy chọn để phát hiện đặc tính phát quang, mô-đun phân cực để phân tích xu hướng tinh thể, đáp ứng nhu cầu quy trình tiên tiến.