Giải pháp sản xuất nano kết nối quang học màu xám, nhà sản xuất thiết bị Nạp Nhu 3D Nanoscribe giải mã cho bạn!

Về chúng tôi

Nano 3D Technology (Shanghai) Co., Ltd. Nanoscribe

Thông tin E-mail
cui@nanoscribe.com
Điện thoại
13917994506
Địa chỉ
Phòng 108, số 26 đường Jiafeng, Khu mậu dịch tự do mới Phố Đông, Thượng Hải

Ngày:2025-11-03Đọc:0

Chế tạo nano kết nối quang học cấp xám có nghĩa là: sử dụng công nghệ quang học cấp xám, chế tạo một lần, độ chính xác cao các cấu trúc quang học vi nạp ba chiều quan trọng cần thiết cho kết nối quang học.

灰度光刻光互联纳米制造

Giải pháp sản xuất nano kết nối quang in màu xám với độ chính xác cao, hiệu quả cao và các ưu điểm khác, trở thành một cách quan trọng để giải quyết các vấn đề khó khăn trong sản xuất nano kết nối quang học, các giải pháp liên quan của ba chiều nano có tính đại diện mạnh mẽ, sau đây là giới thiệu cụ thể:

Công nghệ cốt lõi: Giải pháp chế tạo nano kết nối quang khắc màu xám 3 chiều Na - li - pin Công nghệ cốt lõi là công nghệ quang khắc màu xám 2 photon (2 GL) ®)。 Công nghệ này kết hợp hiệu suất tuyệt vời của in thạch bản màu xám với tính độc đáo và tính linh hoạt của quá trình trùng hợp photon kép. Nó đạt được in 3D trực tiếp không mặt nạ bằng cách phối hợp độ sâu với công nghệ điều chỉnh voxel động 100MHz thông qua máy rung laser tần số cao, có thể điều chỉnh kích thước voxel và năng lượng trong thời gian thực và tạo thành cấu trúc vi nạp ba chiều một lần mà không cần cắt nhiều lớp.

Hỗ trợ thiết bị: Dòng QuantumX của nó là hệ thống ghi trực tiếp laser in thạch bản màu xám kép đầu tiên của Q bộ, chẳng hạn như hệ thống QuantumXalign Độ nhám bề mặt ≤10nm, điều khiển kích thước đặc trưng lên đến mức 100nm, có thể in trực tiếp các thành phần quang học bề mặt tự do trên bề mặt sợi, chip photon, cũng có thể thông qua phát hiện lõi sợi tự động 3D với bản đồ topo cơ bản, hoàn thành căn chỉnh tự động cấp submicron, giảm tổn thất khớp nối xuống dưới 1dB. Hệ thống QuantumXlitho có thể xử lý các loại chất nền khác nhau, chẳng hạn như trượt thủy tinh hoặc chip silicon tối đa 6 inch, được thiết kế để tạo mẫu nhanh, sản xuất hàng loạt nhỏ và sản xuất hiệu quả các nguyên mẫu trong quá trình sao chép.

Lợi thế quá trình: Một là quá trình xử lý cấu trúc ghép nối có độ chính xác cực cao, độ phân giải xử lý thấp dưới 100 nanomet, độ nhám bề mặt lớp quang học (Ra<5nm), có thể in trực tiếp mảng ống kính vi mô cần thiết để ghép sợi quang chip, ống kính chiết suất gradient và các cấu trúc khác, có thể kiểm soát tổn thất ghép nối thiết bị photon trong vòng 1,5dB. Thứ hai, khả năng tương thích đa vật liệu và tích hợp không đồng nhất, hỗ trợ nhiều loại chất nền phổ biến cho bao bì photon như keo quang, thủy tinh, vật liệu silicon và vật liệu tương thích sinh học, có thể đạt được in tích hợp "cấu trúc quang học nhỏ+kênh kết nối dẫn điện" trên cùng một chip. Thứ ba, sản xuất cấu trúc chéo, cả hai đều có thể đạt được các tính năng tinh tế ở cấp độ nano, chẳng hạn như khẩu độ tinh thể photon<200nm, và cũng có thể tính đến cấu trúc tổng thể ở cấp độ milimet, chẳng hạn như chip quang điều khiển dòng chảy vi mô.

Kịch bản ứng dụng: Giải pháp này bao gồm toàn bộ liên kết "R&D - Sản xuất hàng loạt" của gói photon. Hướng tới các trường đại học và các tổ chức nghiên cứu khoa học, có thể hoàn thành việc chuẩn bị nguyên mẫu cấu trúc ghép photon mới trong vòng 1-2 ngày, hỗ trợ nghiên cứu và phát triển công nghệ tiên tiến như bề mặt siêu cấu trúc, thiết bị quang tử lượng tử; Đối với cuối công nghiệp, thông qua nền tảng xử lý cấp wafer 6 inch và thiết kế quy trình tự động, để đạt được sản xuất hàng loạt nhỏ các thiết bị như mảng vi thấu kính quang học, công tắc quang MEMS và không cần thay mặt nạ để chuyển đổi mô hình sản phẩm, hiệu quả sản xuất tăng hơn 30% so với quy trình truyền thống.

Bài viết cuối cùng:Nanoscribe 3D Nanoscribe: Giải pháp vi nạp 3D phủ toàn cảnh

Bài viết tiếp theo:Precision Micro 3D Printing Pilot: Nanoscribe định nghĩa lại độ chính xác sản xuất như thế nào