-
Thông tin E-mail
lu.yan@leboscience.cn
-
Điện thoại
13584134215
-
Địa chỉ
Tầng 5 phía Nam, Tòa nhà A, Khu công nghiệp Chuangzhi, 201 Kim Sơn, Giang Tô
Jiangsu Leibo Scientific Instrument Co., Ltd
lu.yan@leboscience.cn
13584134215
Tầng 5 phía Nam, Tòa nhà A, Khu công nghiệp Chuangzhi, 201 Kim Sơn, Giang Tô
Chúc mừng nồng nhiệt
Đại học Vũ Hán
Koi Jun&đội ngũ giáo sư quốc gia Fang
Sử dụng nhiều loại màng mỏng để chuẩn bị sản phẩm
Trong lĩnh vực pin mặt trời perovskite
取得重要突破

Trong nghiên cứu này, đội ngũ giáo sư Kowijun&Fang Guoguo của Đại học Vũ Hán đã sử dụng máy cân bằng keo AC200-SE.pdf, máy phủ MS450.pdf, máy phủ màng Perovskite PF200-H.pdf, máy làm sạch plasma PT13M-SE.pdf do bộ phận của chúng tôi sản xuất.

Các tế bào năng lượng mặt trời xếp chồng Perovskite (TSC) có hiệu suất tuyệt vờiTuy nhiên, khoảng cách hiệu quả giữa các thiết bị diện tích nhỏ và diện tích lớn (>1 cm ²) đã cản trở nghiêm trọng quá trình thương mại hóa của chúng.
Đổi mới tinh thể Modifier: Piracetam thông qua cơ chế tác động kép - điều khiển sự hình thành hạt nhân tạo thành xu hướng lựa chọn hạt nhân lớn+ủ để tạo ra khuyết tật thụ động kim nano một chiều, thực hiện cải thiện mang tính cách mạng về chất lượng màng perovskite khe băng rộng.
Đột phá hiệu quả xếp chồng: Khu vực lớn (1,02 cm²) hiệu suất pin xếp chồng perovskite đầy đủ lên đến 28,20% (chứng nhận 27,30%), mất hiệu quả khuếch đại diện tích chỉ 0,51%, phá vỡ nút cổ chai lõi thương mại hóa.
Xác minh phổ quátCông nghệ có thể mở rộng đến hệ thống perovskite 1,56 eV, tăng hiệu suất pin đơn 9,1% (23,56% → 25,71%), cho thấy tiềm năng ứng dụng nền tảng.




Nghiên cứu này đã được giới thiệu mang tính sáng tạo như Kha Duy Tuấn, Đại học Vũ HánNameLà một sửa đổi tinh thể perovskite khe băng rộng. Quá trình tạo hạt nhân tinh thể được điều chỉnh bởi nhóm amide và pyrrolidone của chúng, các hạt lớn, (110) màng tinh thể cao có xu hướng dựa trên thành tích thu được và phản ứng với PbI₂ còn lại trong quá trình ủ để tạo thành cấu trúc kim nano PbI₃ một chiều (Pi).
Dựa vào đó,1. 77 eV băng thông rộng gap pin đơn nút để đạt được điện áp mạch mở 1,36 V và hiệu quả chứng nhận 20,35%;Các thiết bị xếp chồng có được trong khu vực 0,07 cm² và 1,02 cm² tương ứng28.71%(Chứng nhận 28,13%) và 28,20% (Chứng nhận 27,30%) hiệu quả, chỉ mất 0,51% hiệu quả khi khuếch đại diện tích.Phương pháp này rất phổ biến và có thể tăng hiệu suất pin perovskite 1,56 eV từ 23,56% lên 25,71%, cung cấp một con đường mới để quy mô hóa pin perovskite xếp chồng hiệu quả cao.