Các tính năng chính của JEOL Field Emission Mirror SEM+EDX+EBSD đã qua sử dụng là: Hệ thống điện áp dụng công nghệ súng điện Shotky chìm; Hệ thống TTLS sử dụng GB (chế độ Gentle Beam) và các máy dò khác nhau để phân biệt cao các tín hiệu quan sát và chọn ở điện áp tăng tốc thấp; Vật kính hỗn hợp với lớp phủ điện.
Chi tiết sản phẩm
Sử dụng JEOL Field Launch Mirror SEM+EDX+EBSDThông số kỹ thuật
JSM-7200F JSM-7200FLV
Độ phân giải
1,0 nm (20kV), 1,6 nm (1kV)
1,0 nm (20kV), 1,6 nm (1kV), 1,8 nm (30kV, LV)
Độ phóng đại
× 10 ~ × 1.000.000 (kích thước ảnh 120mm x 90mm); × 30 ~ × 3.000.000 (hiển thị 1280 x 960pixel);
Sử dụng JEOL Field Launch Mirror SEM+EDX+EBSDJSM-7200F là một kính hiển vi điện tử quét phát xạ trường nhiệt (FE-SEM) hiệu suất cao, chủ yếu có khả năng quan sát độ phân giải cao và điện áp thấp, được sử dụng rộng rãi trong nghiên cứu tiên tiến và kiểm tra chất lượng công nghiệp như khoa học vật liệu, chất bán dẫn, công nghệ nano.
I. Công nghệ cốt lõi và lợi thế
Immersion Shotky trường nhiệt bắn súng điện tử
Công nghệ có nguồn gốc từ mô hình hàng đầu JSM-7800F Prime, cung cấp độ sáng cao, nguồn điện tử ổn định cao.
Dòng đầu dò có thể lên tới 300 nA, đáp ứng các yêu cầu về hình ảnh có độ phân giải cao và phân tích các yếu tố phổ năng lượng (EDS).
Vật kính hỗn hợp (loại chồng chất trường điện từ)
Kết hợp với ống kính từ và ống kính tĩnh, chênh lệch bóng nhỏ hơn và độ phân giải được nâng lên đáng kể.
Giữ lại khoảng cách làm việc lớn và dễ sử dụng của thiết kế out-lens truyền thống, cho phép quan sát trực tiếp vật liệu từ tính.
Hệ thống tín hiệu trong gương TTLS+Chế độ chùm mềm GB
TTLS (Through-The-Lens System): Thu thập hiệu quả các tín hiệu yếu ở điện áp thấp thông qua máy dò trong gương.
Chế độ GB (Gentle Beam): Áp dụng thiên vị cho mẫu để đạt được điện áp tăng tốc thấp, hình ảnh có độ phân giải cao, giảm hiệu quả phí mẫu và thiệt hại.
Hỗ trợ thu thập tách đồng thời giữa tín hiệu electron thứ cấp (SE) và tín hiệu điện tử tán xạ ngược (BSE).
II. Thông số kỹ thuật chính
Súng điện tử: Shotky Heat Field Launch (Immersion)
Điện áp tăng tốc: 0,1 V - 30 kV (điều chỉnh liên tục)
Độ phân giải không gian
Điện áp cao (15 kV): 0,8 nm
Điện áp thấp (1 kV): 1,3 nm
Dòng chảy: 300 nA
Bàn mẫu: 5 trục hoàn toàn tự động/bán tự động (X/Y/Z/nghiêng/xoay)
Máy dò tiêu chuẩn
Máy dò điện tử thứ cấp cao (USD)
Máy dò điện tử phân tán trong gương (TTLS-SE/BSE)
Chức năng tùy chọn: Phân tích phổ năng lượng EDS, nhiễu xạ tán xạ trở lại điện tử EBSD, chế độ truyền STEM, buồng môi trường mẫu khí
III. Các lĩnh vực ứng dụng chính
Khoa học vật liệu: Phân tích hình dạng và cấu trúc của vật liệu nano, vật liệu hai chiều, hợp kim kim loại, gốm sứ, polymer.
Chất bán dẫn/vi điện tử: chip, keo quang khắc, MEMS、 Kiểm tra khuyết điểm và phân tích vô hiệu hóa đóng gói.
Khoa học đời sống: Quan sát hình dạng phân biệt cao của các mô sinh học, tế bào, virus, các đại phân tử sinh học.
Địa chất và môi trường: đặc tính vi vùng của khoáng chất, aerosol, microplastic.
Ô tô/Hàng không: Kiểm soát chất lượng và R&D vật liệu composite, chất xúc tác, lớp phủ.
