Anh Ossila Chip S403 OFET thử nghiệm Chip S411

Chỉ dùng cho nghiên cứu thí nghiệm trên động vật

Thông số kỹ thuật

Anh Ossila Chip S403 OFET thử nghiệm Chip S411

Ứng dụng

Ossila High Density Substrates có 20 OFET có thể mang lại lợi ích cho nghiên cứu của bạn theo một số cách. Thứ nhất, chi phí sản xuất được giảm do khối lượng OFET cao hơn cho mỗi chất nền so với các chất tương đương mật độ thấp. Điều này có thể giúp kéo dài ngân sách của bạn để cho phép bạn sản xuất và thử nghiệm số lượng OFET lớn hơn.

Thứ hai, sản xuất OFET là một quá trình nhanh hơn và ít khó khăn hơn. Thời gian sản xuất được giảm lên đến 50% khi sử dụng OFET mật độ cao prefabricated, giải phóng thêm thời gian để kiểm tra các thiết bị. Do đó, khối lượng thống kê lớn hơn có thể được sản xuất mà lần lượt có thể cung cấp nghiên cứu mạnh mẽ và đáng tin cậy hơn.

Anh Ossila Chip S403 OFET thử nghiệm Chip S411

Hơn nữa, sự biến đổi OFET được giảm vì một số lượng OFET lớn hơn được sản xuất với mỗi sản xuất. Tại Ossila, chúng tôi đã tối ưu hóa quy trình sản xuất để sản xuất chất nền chất lượng cao nhất quán. Về mặt này, sử dụng chất nền prefabricated của chúng tôi thay vì chế tạo riêng của bạn có thể giúp bạn thu thập dữ liệu đáng tin cậy hơn để có lợi cho dự án nghiên cứu của bạn.

Các chất nền mật độ cao được chế tạo sẵn là lý tưởng cho thử nghiệm di động vì chúng cho phép thử nghiệm nhanh chóng, hiệu quả của khối lượng lớn OFET. Bàn kiểm tra OFET mật độ cao Ossila đã được thiết kế cho mục đích này.

Thay vì sử dụng một trạm thăm dò cơ khí để kiểm tra OFET, đó là một quá trình tinh tế và tốn thời gian, bảng kiểm tra mật độ cao cho phép kiểm tra nhiều OFET cùng một lúc; chỉ cần thả chất nền vào khe thử nghiệm, bảo mật nắp đẩy phù hợp và kết nối bảng thông qua các đầu nối BNC của nó với một mảng thiết bị thử nghiệm.

Anh Ossila Chip S403 OFET thử nghiệm Chip S411

Bảng đã được thiết kế một cách thông minh để giảm tiếng ồn bên ngoài, dòng rò rỉ và công suất lạc để cung cấp thử nghiệm dòng thấp đáng tin cậy và chính xác.

Bàn kiểm tra OFET mật độ cao Ossila, được thiết kế để kiểm tra nhanh chóng, đáng tin cậy của nhiều OFET.

Thông số kỹ thuật

Chúng tôi chế tạo chất nền silicon doped p với lớp trên silicon oxide cách nhiệt 300 nm. Platinum được gửi lên trên để sản xuất các điện cực cổng cũng bao phủ cạnh dẫn điện của chất nền. Do đó, điều cần thiết là cạnh của chất nền có tính dẫn điện và không được bao phủ bởi lớp oxyt silicon. Nếu không, oxyt silicon phải được xước ra các bên của chất nền trước khi nó có thể được sử dụng.

Cấu trúc của chất nền silicon / silicon oxide prefabricated của chúng tôi.

Tại Ossila, chúng tôi đã tối ưu hóa quy trình sản xuất để đảm bảo rằng các cạnh có tính dẫn điện và chất nền sẵn sàng sử dụng ngay lập tức.

Chúng tôi sản xuất chất nền mật độ cao của chúng tôi với titan 5 nm và bạch kim 100 nm.

Đối với các chi tiết cá nhân và bản vẽ kích thước của mỗi loại chất nền xem dưới đây.

Trình nền dài kênh biến tuyến tính 1 mm x 2 µm (S403)

Bản vẽ kích thước của chất nền 1 mm x 2 µm.

Nền tảng chiều dài kênh liên số 22,6 mm x 5 µm (S411)

Vẽ kích thước của một trong những thiết bị 22,6 mm x 5 µm trên nền mật độ cao.