Máy khắc sâu silicon

1.Tổng quan về sản phẩm:

HSE M200 chủ yếu được sử dụng trong quá trình khắc khô silicon sâu 4/6/8 inch. Bạn có thể cấu hình hệ thống truyền thủ công và tự động. Cấu hình sản phẩm của nguồn plasma hai chiều mật độ cao, không khí nạp cạnh trung tâm, chuyển đổi khí nhanh, hệ thống điện cực dưới xung tần số thấp, có thể đạt được tốc độ cao, tỷ lệ chiều sâu và chiều rộng cao, tính đồng nhất cao và độ nhám tường bên rất nhỏ. HSE P300 chủ yếu được sử dụng để khắc silicon 12 inch. Sử dụng bố cục cấu trúc Cluster, có thể giảm dấu chân và tăng công suất. Hệ thống chủ yếu bao gồm mô-đun truyền tải, mô-đun quy trình, các bộ phận vùng xám, tủ điện, v.v. Nó có thể nhận ra tự động nạp và xả vật liệu và quy trình tự động.

2.thiết bịỨng dụng：

Hệ thống HSE M200

Kích thước wafer:

8inch và dưới

Vật liệu áp dụng:

Silicon,SOI、SOG

Quy trình áp dụng:

Khắc sâu silicon

Lĩnh vực áp dụng:

Hệ thống vi cơ điện, lĩnh vực nghiên cứu khoa học

Hệ thống HSE P300

Kích thước wafer:

8/12Inch tương thích

Vật liệu áp dụng:

silic, silic oxit, silic nitride

Quy trình áp dụng:

Khắc khe sâu, khắc lỗ sâu, khắc silic đóng gói loại quạt, khắc đồng lộ, v.v.

Lĩnh vực áp dụng:

Gói nâng cao

3. Tính năng thiết bị

Hệ thống HSE M200

Nguồn plasma kép và đầu vào hai vùng đảm bảo tính đồng nhất cao và tốc độ cao

Khả năng tương thích mạnh mẽ, đa dạng về quy trình, ứng dụng rộng rãi và độ tin cậy của hệ thống

Cấu hình hệ thống linh hoạt cho các ứng dụng khác nhau của R&D, dây chuyền thử nghiệm trung bình, dây chuyền sản xuất quy mô lớn

Chi phí sở hữu và chi phí vận hành thấp

Hệ thống HSE P300

Sử dụng nguồn plasma mật độ cao stereo, tăng đáng kể tốc độ khắc

Nguồn plasma kép và lượng khí nạp hai vùng đảm bảo tính đồng nhất cao

Kiểm soát phần mềm hoàn toàn tự động, công suất cao

Chi phí sở hữu và chi phí vận hành thấp