Cell-ISC-PME01 Plasma tại chỗ cho điện cực kim loại

Cell-ISC-PME01 Plasma tại chỗ cho điện cực kim loại

1. Thông số

Chất liệu: PEEK

Nhiệt độ kháng: -20-150 ℃

Chịu áp lực: Áp suất bình thường

Nắp hồ bơi: nắp hồ bơi ba cửa sổ hồng ngoại, nắp hồ bơi cửa sổ đơn Raman

Gương: Nó có thể được trang bị với bari florua, kẽm selenide, thạch anh, sapphire và các gương khác, yêu cầu gương đặc biệt có thể được tùy chỉnh.

Khoảng cách xả: 2mm (có thể được tùy chỉnh)

Chất xúc tác điền khối lượng: OD 7 ID 3 Chiều cao 5mm Điền (OD 6 ID 2 Chiều cao 5mm Điền)

Phương tiện chặn:Phương tiện đơn chặn Quartz/Phương tiện đôi chặn Quartz

Kiểm soát nhiệt độ: -20~80 ℃, kiểm soát nhiệt độ tắm lỏng

Dạng cực dương và tiêu cực: Cực dương: Điện cực kim loại

Điện cực âm: Điện cực kim loại

2. Sử dụng môi trường

Bằng cách kết nối nguồn cung cấp plasma nhiệt độ thấp, lò phản ứng này có thể cung cấp môi trường plasma nhiệt độ thấp, thích hợp cho hầu hết các phản ứng xúc tác khí rắn trong các thí nghiệm xúc tác đồng đẳng với chất xúc tác. Phát hiện tại chỗ được thực hiện với các thiết bị như máy quang phổ hồng ngoại, máy quang phổ Raman laser (thay thế nắp bể gương có thể thực hiện thử nghiệm quang phổ Raman laser).

Lò phản ứng có thể cung cấp kiểm soát nhiệt độ bồn tắm lỏng, cân bằng sự tỏa nhiệt plasma hoặc cung cấp môi trường xúc tác plasma ở nhiệt độ mục tiêu.

Phối hợp với phụ kiện hồng ngoại harrick, sử dụng nguồn plasma nhiệt độ thấp.

Thích hợp với các thương hiệu trong và ngoài nước như Brooke, Simon, Hồng Kông Đông, Phó Lập Diệp biến hóa quang phổ hồng ngoại.

3. Tính năng sản phẩm

1. Thay thế linh hoạt cho nắp miệng ba/cửa sổ đơn và phương tiện truyền ánh sáng cửa sổ, hồ bơi tại chỗ phổ hồng ngoại plasma này có thể được mở rộng đến Raman tại chỗ và phổ phát xạ nguyên tử tại chỗ.

2. Điều chỉnh khoảng cách xả, vật liệu điện cực điện áp cao và điện áp thấp, v.v., để thích ứng với nhu cầu mô phỏng các phản ứng xả khác nhau.

3. Nhiệt độ -20~80 ℃ có thể điều chỉnh, tùy chọn với máy nước tuần hoàn, truy cập vào hệ thống làm mát hoặc sưởi ấm, duy trì nhiệt độ mục tiêu xả plasma, loại trừ (điều chỉnh) ảnh hưởng của nhiệt độ đối với phản ứng plasma.

4. Xả đồng đều, phạm vi điều chỉnh công suất xả rộng.