CSEAC 2026 Field Direct Hit: Công nghệ thoáng qua Nguồn điện tử, Ma trận sản phẩm nguồn ion thu hút sự chú ý

Từ ngày 31 tháng 8 đến ngày 2 tháng 9 năm 2026, Triển lãm vật liệu và linh kiện cốt lõi thiết bị bán dẫn lần thứ 14 (CSEAC 2026) đã được tổ chức trọng thể tại Taihu, Vô Tích. Với diện tích triển lãm vượt quá 70.000 mét vuông, hội tụ hơn 1.300 doanh nghiệp trong và ngoài nước, triển lãm tập trung vào các thành tựu kỹ thuật trong lĩnh vực thiết bị bán dẫn, vật liệu và các thành phần cốt lõi.

Tại địa điểm triển lãm tập hợp các ngôi sao, Thượng Hải Transient Technology Co, Ltd (sau đây gọi là: Transient Technology) đã trở thành một trong những trọng tâm của sự chú ý. Doanh nghiệp công nghệ cứng này tập trung vào các thiết bị nguồn lõi chùm hạt, xuất hiện tại CSEAC với một số nguồn điện tử và các sản phẩm nguồn ion độc lập được nghiên cứu và phát triển, cho ngành công nghiệp thấy sự đột phá độc lập của Trung Quốc trong lĩnh vực linh kiện cốt lõi của thiết bị phát hiện khối lượng bán dẫn.

Khoa học và công nghệ thoáng qua Công nghệ cốt lõi phát xạ hạt vi mô canh tác sâu, đột phá nhiều độc quyền nước ngoài lâu dài về quy trình "kẹt cổ", đồng thời có khả năng nghiên cứu và phát triển độc lập và sản xuất hàng loạt nguồn điện tử, nguồn ion và nguồn tia X vi tập trung. Hiệu suất cốt lõi của sản phẩm đối với thương hiệu quốc tế, có thể nhận ra sự thay thế liền mạch của gương điện nhập khẩu chính thống và thiết bị kiểm tra. Nó phục vụ rộng rãi cho nghiên cứu khoa học, kiểm tra chính xác chất bán dẫn, chế biến nano nano, kiểm tra không phá hủy công nghiệp và các lĩnh vực khác.

Nguồn điện tử (nguồn phát xạ lõi gương)：Toàn bộ liên kết tự điều khiển，Tính ổn định và độ bền vượt trội

Nguồn điện tử (nguồn phát xạ lõi gương)

Các sản phẩm nguồn điện tử của công ty bao gồm các mô hình gradient đầy đủ, bao gồm ba loại chính của dây tóc vonfram, lanthanum hexaboride (LaB₆), phát xạ trường Schott; Tuổi thọ ổn định liên tục ≥8000 h; Nó có đặc tính trôi dạt điểm cực thấp, hình ảnh hoạt động lâu dài không có độ lệch rõ rệt, tính đồng nhất của dòng chảy chùm, chỉ số phân tán năng lượng đều đạt tiêu chuẩn sản phẩm tương tự nhập khẩu.

Toàn bộ liên kết nguồn điện tử được kiểm soát độc lập, từ tinh khiết nguyên liệu tinh thể đơn, gia công chính xác đầu kim đến đóng gói thành phẩm, toàn bộ quá trình tự nghiên cứu và sản xuất, thoát khỏi sự phụ thuộc công nghệ ở nước ngoài; Sự ổn định và độ bền là nổi bật, dựa vào quy trình cốt lõi của nhóm lớn, khả năng chống ô nhiễm mạnh, dòng chảy tinh khiết và ổn định, lượng trôi làm việc liên tục trong thời gian dài rất thấp, phù hợp với sản xuất hàng loạt công nghiệp và thử nghiệm nghiên cứu khoa học lâu dài; Khả năng tùy chỉnh mạnh mẽ, có thể phù hợp tham số và tùy chỉnh cấu trúc theo thiết bị phi tiêu chuẩn, nhu cầu thí nghiệm đặc biệt; Bốn là, tính tương thích cao, thích hợp toàn diện với các thiết bị gương điện nhập khẩu dòng chính như Thái Tư, Nhật Lập, Điện tử Nhật Bản, Seimer Phi, v. v., thực hiện việc lên máy bay là sử dụng, thay thế không khe hở, giảm mạnh mẽ chi phí vận hành và duy trì thiết bị.

Nguồn điện tử được sử dụng rộng rãi trong quan sát hình dạng vi mô có độ phân giải cao, phân tích thành phần vi vùng vật liệu, phát hiện khuyết tật wafer bán dẫn, đo lường kích thước chính CD-SEM, in thạch bản chùm điện tử, đặc tính vật liệu nano và các kịch bản khác, phù hợp với nhu cầu đặc tính chính xác của các viện nghiên cứu khoa học đại học, doanh nghiệp vật liệu, nhà sản xuất chất bán dẫn, đã đạt được xác minh lắp đặt hàng loạt của một số tổ chức nghiên cứu khoa học trong nước và các doanh nghiệp bán dẫn đầu.

Nguồn ion (Thiết bị lõi gia công vi nạp FIB)：Độ chính xác cao, tỷ lệ tạp chất thấp, ổn địnhLàm đi.

Nguồn ion (Thiết bị lõi gia công vi nạp FIB)

　

Nguồn ion Gallium lỏng (Ga) được phát triển độc lập bởi Transient Technology là thiết bị cốt lõi của Hệ thống chùm ion tập trung (FIB, FIB-SEM). Nguyên tắc của nó là sử dụng gali lỏng có độ tinh khiết cao với điểm nóng chảy thấp và áp suất hơi thấp làm phương tiện phát xạ, được vận chuyển bằng mao mạch chính xác đến đầu kim đơn tinh thể vonfram, tạo thành một cấu trúc hình nón Taylor ổn định dưới tác động của điện trường cao áp, gây ra ion hóa kim loại lỏng hiệu quả cao và liên tục phát ra chùm ion gali tập trung cao, độ tinh khiết cao. Dựa vào sự xâm nhập ổn định của kim loại lỏng, hình thành chính xác đầu kim và công nghệ cốt lõi điều chỉnh điện trường thống nhất được nhóm khai thác, để đạt được sự phát xạ ổn định của chùm ion trong thời gian dài, bao gồm chức năng kép của hình ảnh vi mô và khắc phún xạ vật lý.

Nguồn ion có đặc tính dòng chảy chùm có thể điều khiển trong phạm vi rộng, có thể phù hợp với nhu cầu kép về hình ảnh chính xác cao và khắc kích thước lớn; Độ chính xác tập trung chùm ion cao, đốm nhỏ, tỷ lệ tạp chất rất thấp, độ ổn định phát xạ tuyệt vời, làm việc liên tục mà không suy giảm dòng chảy chùm rõ rệt; Tuổi thọ dài, khả năng chống bắn phá mạnh mẽ, độ ổn định cốt lõi, các thông số tuổi thọ để nhập khẩu quốc tế các sản phẩm tương tự, có thể đáp ứng nhu cầu gia công chính xác lâu dài.

Nguồn ion phá vỡ các điểm đau của ngành công nghiệp như thâm nhập kim loại lỏng không đồng đều, trôi dòng chảy chùm và thất bại phát xạ. Độ tinh khiết cao của chùm ion, tập trung tốt và khả năng lặp lại tuyệt vời; Quy trình sản xuất hàng loạt độc lập trưởng thành, tính nhất quán sản phẩm cao, tỷ lệ sản phẩm tốt ổn định; Khả năng tương thích thiết bị cao, có thể phù hợp với hệ thống bó đôi FIB, FIB-SEM thương mại chính thống, hỗ trợ thay thế liền mạch các thiết bị nhập khẩu; Đồng thời hỗ trợ tùy chỉnh các thông số phi tiêu chuẩn, có thể tối ưu hóa các thông số dòng chảy bó cho các kịch bản chế biến vi nạp đặc biệt, giải quyết các vấn đề khó khăn trong ngành về khả năng phù hợp kém của sản phẩm nhập khẩu, độ khó tùy chỉnh lớn và thời hạn dài.

Chủ yếu được sử dụng trong vi sửa chữa chip bán dẫn, khắc chính xác và lắng đọng các thiết bị nano, cắt mẫu siêu mỏng của kính điện truyền, phân tích khiếm khuyết vi mô vật liệu, chuẩn bị cấu trúc vi nạp, chuẩn bị mẫu thăm dò nguyên tử và các kịch bản xử lý vi nạp chính xác khác. Nó là thiết bị quan trọng cốt lõi của sản xuất nano, quy trình tiên tiến của chất bán dẫn, nghiên cứu khoa học vật liệu tiên tiến.

Khoa học kỹ thuật nhất thời dựa vào tích lũy nghiên cứu khoa học cốt lõi của Shanghai Jiao, xây dựng ma trận sản phẩm nguồn chùm hạt của ba nguồn điện tử, nguồn ion và nguồn tia X, ba loại sản phẩm cốt lõi công nghệ cùng nguồn và kết nối hệ thống công nghệ, tất cả đều thực hiện tự nghiên cứu và quy mô sản xuất hàng loạt. Toàn bộ các thiết bị của công ty có lợi thế toàn diện về hiệu suất nhập khẩu theo tiêu chuẩn, khả năng tương thích mạnh mẽ, có thể tùy chỉnh, tỷ lệ giá cao, giao hàng nhanh và dịch vụ hậu mãi hoàn hảo. Nâng cấp nội địa hóa các ngành công nghiệp chiến lược như chất bán dẫn, vật liệu mới, thiết bị cao cấp và nghiên cứu khoa học tiên tiến.

Trong thời gian diễn ra triển lãm, một số khán giả chuyên nghiệp từ nhiều lĩnh vực bao gồm nghiên cứu khoa học, kiểm tra chính xác chất bán dẫn, chế biến nano nano và kiểm tra không phá hủy công nghiệp đã đích thân đến các gian hàng khoa học và công nghệ thoáng qua để kiểm tra và trao đổi, khẳng định cao những đột phá mà công ty đã đạt được. Nhu cầu về nguồn điện tử hiệu suất cao sẽ tiếp tục được giải phóng cùng với sự trỗi dậy của các đường đua chi tiết như thiết bị kiểm tra khối lượng bán dẫn trong nước và thiết bị in quang chùm điện tử. Sự ra mắt lần này của công nghệ thoáng qua CSEAC 2026, không chỉ thể hiện sự tích lũy công nghệ và năng lực sản xuất hàng loạt trong lĩnh vực thiết bị nguồn chùm hạt cốt lõi, mà còn truyền một tín hiệu rõ ràng cho ngành công nghiệp: trong các liên kết quan trọng của chuỗi công nghiệp bán dẫn, sức mạnh nội địa đang tăng tốc.