Tinh thể thạch anh và bộ dao động tạo thành vòng cộng hưởng, tạo ra một tín hiệu dao động ổn định. Tần số dao động của wafer mới là 6 MHz, khi wafer được mạ, do trọng lượng wafer và sức căng bề mặt tăng lên, tần số cộng hưởng của nó sẽ giảm, sự thay đổi tần số này được phát hiện bằng máy đo tần số, theo tốc độ thay đổi tần số và mật độ vật liệu và các thông số khác để tính toán độ dày của lớp phủ được mạ trên wafer. Tốc độ phủ cuối cùng được tính toán bằng số lượng thay đổi độ dày của lớp màng trong một đơn vị thời gian.

Bắt đầu bằng cách lắp đặt các tấm tinh thể ở đầu phía trước của đầu dò, đặt chúng vào buồng chân không. Đặt "yếu tố công cụ" của vật liệu màng (để hiệu chỉnh các yếu tố như mật độ và ứng suất) và độ dày mong muốn trong màn hình. Lớp phủ sau đó bắt đầu và màn hình hiển thị độ dày hiện tại và tốc độ lắng đọng trong thời gian thực. Khi độ dày đạt đến giá trị đặt trước, màn hình báo hiệu tự động tắt vách ngăn hoặc nguồn bay hơi, dừng lớp phủ.

Máy đo độ dày màng có thể đo độ dày khối lượng trực tiếp, nguyên tắc đơn giản, phù hợp với hầu hết các loại vật liệu (kim loại, phương tiện truyền thông, v.v.) và có thể theo dõi độ dày và tỷ lệ lắng đọng cùng một lúc, kiểm soát sự ổn định của quá trình, phương pháp quang học tương đối, chi phí thiết bị và vật tư tiêu hao (wafer) thấp hơn. Nhưng độ dày trên tấm tinh thể được đo, không phải trên tấm cơ sở thực tế, và thực sự có lỗi vị trí. Nhạy cảm hơn với sự thay đổi nhiệt độ, cần ổn định điều kiện làm việc, sau khi lớp phủ của tấm cắt tinh thể quá dày sẽ thất bại, cần phải thay thế. Khi sử dụng cần lựa chọn máy đo độ dày màng theo tình hình thực tế.