-Hiển thị manipulator (OTS) Thiết bịLà một yếu tố quan trọng trong sự phát triển của bộ nhớ từ kiến trúc hai chiều sang ba chiều, cấu trúc cốt lõi của nó bao gồm các điện cực/màng/điện cực dòng lưu huỳnh. Trong số này, Ge-Se sulfide film đã trở thành mối quan tâm lớn nhất do đặc tính chuyển mạch tuyệt vời của nó.Hệ thống vật liệu OTS. Tuy nhiên, cấu trúc dải giá và cấu trúc nguyên tử của hệ thống trong các phạm vi thành phần khác nhau (đặc biệt là các vùng selen giàu và germanium giàu) vẫn chưa được tiết lộ đầy đủ. Để giải quyết vấn đề nan giải này, nhóm giáo sư Chu Mẫn Trường Đại học Giao thông Thượng Hải vàCông nghệ Cymer FischerCát Thanh Thân, Sử Nam Nam hợp tác, lợi dụngNền tảng XPS Escalab QXiMột nghiên cứu có hệ thống về cấu trúc điện tử và sự phân bố kiểu liên kết của Geₓ Se₁₋ₓ (x=0–100%) trên toàn bộ phạm vi thành phần đã được thực hiện. Kết quả liên quanPhân tích quang phổ quang điện tử tia X của chalcogenides Ge-Se"Xuất bản chủ đề.

Nhóm nghiên cứu đã tiến hành phân tích cấu trúc lại mức lõi Ge 3d và cấu trúc dải giá thông qua XPS độ phân giải cao, thiết lập mối liên hệ định lượng giữa thay đổi hàm lượng Ge, thay đổi môi trường phối hợp và phân phối lại kiểu khóa. Kết quả nghiên cứu cho thấy hệ thống Ge-Se thể hiện ba loại khu vực cấu trúc trong các khoảng thành phần khác nhau: khu vực giàu selen (x<40%) duy trì cấu trúc phối hợp Ge:Se 4:2; Vùng chuyển tiếp giàu germanium (x=40–60%) cho thấy sự cạnh tranh giữa phối hợp Ge-Se 3:3 và liên kết đồng cực Ge-Ge; Các vùng thống trị germanium (x ≥70%) cho thấy hơn 72% liên kết là liên kết Ge-Ge đồng cực.

Ngoài ra, phân tách chuỗi selen và hình thành các loại liên kết Ge-Se khác nhau và liên kết Ge-Se đồng cực đã được phát hiện thông qua phân tích phổ giá. Những kết quả này thiết lập mối quan hệ thành phần-cấu trúc trong các sulfide Ge-Se, cho thấy hiệu suất OTS có thể được tối ưu hóa thông qua kỹ thuật liên kết qua trung gian khiếm khuyết bằng cách kiểm soát việc pha trộn Ge.

Nghiên cứu này không chỉ làm sâu sắc thêm sự hiểu biết về cấu trúc điện tử của vật liệu lưu huỳnh Ge-Se mà còn cung cấp những ý tưởng mới cho việc thiết kế vật liệu OTS hiệu suất cao và phát triển công nghệ lưu trữ mật độ cao trong tương lai.

Hình 1. Dòng Ge_xNhìn_1-xBiểu đồ mức năng lượng lõi Ge3d của phim tiến hóa theo thành phần

Hình 2. Chuỗi phân tích phổ giá XPS Ge_xNhìn_1−xCấu trúc điện tử hóa trị của phim

Hình 3. So sánh phổ giá XPS của mẫu giàu selen với mẫu giàu germanium

ViệtHệ thống Escalab QXi XPSNó đóng một vai trò quan trọng trong nghiên cứu này, với độ phân giải cao, khả năng phát hiện độ nhạy cao, cung cấp hỗ trợ kỹ thuật đáng tin cậy cho việc phân tích cấu trúc cấp nguyên tử. Những phát hiện này không chỉ làm sâu sắc thêm sự hiểu biết của chúng tôi về sự phát triển của kiến trúc Ge-Se mà còn cung cấp những ý tưởng và cách tiếp cận mới để thiết kế các vật liệu bộ nhớ hiệu suất cao trong tương lai. Seimer sẽ tiếp tục nỗ lực cung cấp các thiết bị và giải pháp tiên tiến cho các nhà khoa học, góp phần vào những đột phá liên tục trong nghiên cứu khoa học.