Sản xuất mảng GaNLED: Xiamen Zhongcore Jingyan Semiconductor Co., Ltd. sử dụng hệ thống khắc plasma NordsonMarchRIE-1701 để sản xuất mảng điốt phát quang gallium nitride (GaN) (LED) sử dụng plasma SF6. Chip mở rộng GaNLED dựa trên sapphire 2 inch được cắt thành chip 1cm × 1cm, sử dụng Cu làm vật liệu mặt nạ, được tạo mẫu bằng in thạch bản UV. Ảnh hưởng của các công suất RF khác nhau và chất nền mang đến tốc độ khắc GaN đã được nghiên cứu trong quá trình khắc, cũng như độ nhám bề mặt do khắc. Cuối cùng, một mảng LED mật độ cao đã được sản xuất thành công, cải thiện tính đồng nhất khắc và độ nhám bề mặt bằng cách thêm chất nền mang, làm giảm trở kháng tiếp xúc giữa kim loại và GaN bằng cách ủ nhiệt độ cao.

Nâng cao quy trình cắt bỏ chip: Primonanova của Micro ® Thiết bị khắc plasma kết hợp tự cảm, áp dụng cho khắc thiết bị bán dẫn 7nm, 5nm và tiên tiến hơn. Thiết bị sử dụng công nghệ khắc plasma kết hợp điện cảm với quyền sở hữu trí tuệ độc lập, với khoang phản ứng hoàn toàn đối xứng, tốc độ bơm phân tử cực cao và các thiết kế sáng tạo khác. Nó có thể được sử dụng trong một loạt các quá trình khắc dây dẫn, chẳng hạn như khắc khe nông (STI), khắc cổng silicon đa tinh thể; Nó cũng có thể được sử dụng để khắc phương tiện truyền thông, chẳng hạn như khắc tường khoảng cách (SpacerEtch), có thể cung cấp cửa sổ quy trình rộng hơn cho sản xuất chip, đạt được chi phí sản xuất thấp hơn, đã hoạt động bình thường trên nhiều dây chuyền sản xuất của khách hàng, với tỷ lệ ổn định.

8 inch wafer grit khắc: Trong quá trình khắc cổng của wafer 8 inch, một hệ thống composite sử dụng kết hợp GXS được kết hợp với một máy khắc plasma. Dữ liệu sản xuất từ nhà máy thế hệ chip cho thấy sự kết hợp này có thể ổn định độ chân không của khoang khắc ở mức 5 × 10 ⁻ ⁴mbar, cho phép tốc độ khắc SiO₂ đạt 1200 Å/phút và lỗi đồng nhất trong chip ≤1,5%. So với sơ đồ bơm niêm phong dầu được sử dụng trước đó, tỷ lệ khuyết tật giảm từ 0,35% xuống 0,08% sau khi mài mòn và công suất hàng năm của một thiết bị duy nhất tăng khoảng 2300 miếng.

Quá trình kết nối đồng bán dẫn: Trong quá trình kết nối đồng bán dẫn, các lớp oxy hóa kim loại được xử lý bằng máy khắc plasma. Thông qua một quá trình cụ thể, dư lượng oxy hóa có thể được kiểm soát ở<0,5nm, nâng cao hiệu quả chất lượng quá trình. Trong gói cấp wafer, tỷ lệ sản phẩm tốt sau khi sử dụng quy trình này tăng từ 92% lên 99,6%.