Trong lĩnh vực chiếu sáng, hiển thị, đèn nền và các lĩnh vực khác, đèn LED trở thành nguồn sáng chính nhờ tiết kiệm năng lượng, tuổi thọ và độ sáng cao, và cốt lõi của hiệu suất và chất lượng của nó, bắt nguồn từ quá trình xử lý chính xác và phức tạp đằng sau nó. Từ chất nền bán dẫn đến cuối cùng đóng gói thành phẩm, xử lý LED cần phải trải qua một số quy trình quan trọng, mỗi bước kiểm soát độ chính xác của quá trình, trực tiếp quyết định hiệu quả phát sáng, ổn định và tuổi thọ của đèn LED. Ngày nay, với sự gia tăng của các công nghệ mới như Mini/MicroLED,Quy trình chế biến LEDNâng cấp theo hướng "tinh tế hóa, tích hợp hóa", cung cấp sự chống đỡ mạnh hơn cho cảnh tượng ứng dụng. ​

Cốt lõi chính của quá trình chế biến LED là tăng trưởng mở rộng: đặt nền tảng phát sáng. Tăng trưởng mở rộng là một liên kết quan trọng để phát triển các lớp phát sáng LED trên chất nền bán dẫn, và công nghệ MOCVD hiện đang được sử dụng chủ đạo. Quá trình này đòi hỏi phải vận chuyển chính xác các hợp chất hữu cơ kim loại và khí phản ứng như amoniac đến bề mặt chất nền trong môi trường nhiệt độ cao và chân không cao, kiểm soát tốc độ tăng trưởng và độ dày màng mỏng, hình thành cấu trúc bẫy lượng tử dựa trên GaN - đây là cốt lõi của đèn LED để thực hiện chuyển đổi điện quang. Ví dụ, để nâng cao hiệu quả phát sáng của đèn LED ánh sáng xanh, bạn cần tối ưu hóa hiệu quả tổng hợp của điện tử và lỗ bằng cách điều chỉnh số lượng lớp và chiều rộng của bẫy lượng tử; Đối với MiniLED, lỗi đồng nhất của lớp mở rộng cần được kiểm soát trong vòng ± 5% để đảm bảo tính nhất quán của độ sáng LED trong sản xuất hàng loạt. ​

Tiếp theo là chế tạo chip: tạo hình chính xác cấu trúc cốt lõi. Sau khi hoàn thành tấm mở rộng, cần phải làm cho điện cực và lớp mở rộng hiện tại của chip LED thông qua quá trình in thạch bản, khắc và mạ hấp. Quá trình in thạch bản sử dụng ánh sáng cực tím để chuyển mô hình mạch đến bề mặt tấm mở rộng, độ chính xác chiều rộng dòng có thể đạt 1-2μm, đảm bảo bố trí điện cực đồng đều; Khắc khô sau đó loại bỏ chính xác lớp mở rộng dư thừa bằng plasma, tạo thành cấu trúc của chip, kiểm soát độ sâu khắc lỗi trong ± 0,1μm, để tránh thiệt hại cho lớp phát sáng; Quá trình hấp và mạ sau đó lắng đọng các điện cực kim loại trên bề mặt chip, đảm bảo dòng điện được bơm đồng đều, làm giảm các vấn đề quá nóng cục bộ gây ra bởi sự tắc nghẽn hiện tại. Đối với MicroLED, kích thước chip giảm xuống dưới 100μm, cần thiết bị in thạch bản chính xác hơn và công nghệ hàn ngược để đạt được tích hợp mật độ cao của chip. ​

Cuối cùng là công nghệ đóng gói: tối ưu hóa tính năng và bảo vệ. Chip LED cần đạt được kết nối điện, bảo vệ cơ học và tối ưu hóa hiệu quả ánh sáng thông qua bao bì, các kịch bản ứng dụng khác nhau tương ứng với các quy trình đóng gói khác nhau. Quá trình COB thường được sử dụng trong lĩnh vực chiếu sáng, tích hợp nhiều chip LED trên chất nền kim loại, thông qua gói silicone để tạo thành nguồn sáng bề mặt, hiệu quả tản nhiệt tăng 30% so với gói tách truyền thống; MiniLED trong lĩnh vực hiển thị sử dụng gói SMT hoặc COG, kết hợp với ống kính quang học có độ chính xác cao, kiểm soát lỗi góc phát sáng ± 2 °, đảm bảo độ rõ nét và độ tương phản của hình ảnh hiển thị; Ngoài ra, việc lựa chọn vật liệu đóng gói cũng rất quan trọng - sử dụng silicone hoặc epoxy có độ truyền ánh sáng cao, chống lão hóa có thể kéo dài tuổi thọ của đèn LED lên hơn 50.000 giờ và tránh các vấn đề về ánh sáng do sử dụng lâu dài. ​

Với sự phát triển đa dạng của ứng dụng LED, sự đổi mới trong quá trình chế biến không bao giờ dừng lại. Từ kiểm soát nhiệt độ chính xác của sự tăng trưởng mở rộng đến tích hợp vi mô của sản xuất chip, đến tối ưu hóa tản nhiệt của quá trình đóng gói, mỗi bước đột phá công nghệ thúc đẩy hiệu suất LED lên một tầm cao mới.