Chào mừng khách hàng!

Thành viên

Trợ giúp

Kyoto Electronics China - Kemu Electronics (Shanghai) Trading Co., Ltd
Nhà sản xuất tùy chỉnh

Sản phẩm chính:

instrumentb2b>Bài viết

Kyoto Electronics China - Kemu Electronics (Shanghai) Trading Co., Ltd

  • Thông tin E-mail

    0937982501@163.com

  • Điện thoại

    13601731964

  • Địa chỉ

    Phòng 1201, Tòa nhà Quốc tế Huixin, 333 Yishan Road, Quận Từ Hối, Thượng Hải

Liên hệ bây giờ
Phương pháp thử nghiệm lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ Phần 3: Kiểm tra độ phát xạ - Phương pháp đo bức xạ
Ngày:2025-12-22Đọc:0


GJB 2502.3-2015 Phương pháp thử nghiệm lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ Phần 3: Kiểm tra độ phát xạ

phạm vi
Phần này quy định mục đích, phạm vi và độ chính xác, nguyên tắc, thiết bị và yêu cầu, điều kiện, mẫu thử, quy trình, xử lý dữ liệu và báo cáo cho độ phát xạ bán cầu và thử nghiệm độ phát xạ phương pháp của tàu vũ trụ.
Phần này áp dụng cho việc kiểm tra độ phát xạ của lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ.

Thiết bị vớt váng dầu mỡ cho xử lý nước thải -PetroXtractor - Well Oil Skimmer (
Mục đích thử nghiệm
Xác định độ phát xạ bán cầu của lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ được thử nghiệm và mẫu tham chiếu.

Phương pháp phát xạ theo phương pháp (Phương pháp 2021)
Mục đích thử nghiệm
Xác định độ phát xạ phương pháp của lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ được thử nghiệm.

Phương pháp đo bức xạ (Phương pháp 2031)
Mục đích thử nghiệm
Xác định độ phát xạ bán cầu của lớp phủ điều khiển nhiệt của tàu vũ trụ được thử nghiệm.
Phạm vi kiểm tra và độ chính xác
Phạm vi thử nghiệm độ phát xạ bán cầu là 0,03~0,95 và độ chính xác thử nghiệm là 0,015.
Nguyên tắc kiểm tra
Tín hiệu đầu ra của máy dò bức xạ kế có quan hệ tuyến tính với độ phát xạ của mẫu được thử nghiệm, thông qua so sánh độ phát xạ cao và thấp của mẫu được trang bị máy đo bức xạ và kích thước của tín hiệu đầu ra của mẫu được thử nghiệm, trực tiếp thu được độ phát xạ của mẫu được thử nghiệm.
Thiết bị kiểm tra và yêu cầu
Máy đo bức xạ: Độ lặp lại ± 0,01.
Máy đo milivolt: độ nhạy 0,01mV.
Trầm nhiệt: dẫn nhiệt tốt, bề mặt bức xạ cao.
Mẫu tham chiếu: Yêu cầu được quy định tại 4.3 trong GJB 2502.1-2015.
Điều kiện thử nghiệm
Nhiệt độ của mẫu thử phải giống như nhiệt độ của mẫu thử tham chiếu.
Nhiệt độ phòng thử nghiệm là 15 ° C~25 ° C, các điều kiện khác được quy định trong GJB 2502.1-2015 4.1.
Mẫu thử
Bề mặt phải bằng phẳng, dẫn nhiệt tốt và không gây ô nhiễm.
Kích thước phải lớn hơn đường kính máy dò và độ dày thường không vượt quá 2 mm.
Bán kính cong phải đáp ứng các yêu cầu của thiết bị.
Các yêu cầu khác được quy định trong 4.3 GJB 2502.1-2015.
Chương trình kiểm tra
Chuẩn bị trước khi test
Thiết bị làm nóng trước khoảng 30 phút.
kiểm tra
Đặt mẫu tham chiếu độ phát xạ cao và thấp trên nhiệt chìm, máy dò tương ứng trên mẫu tham chiếu độ phát xạ cao và thấp, bằng cách tinh chỉnh các giá trị hiển thị trên đồng hồ biểu đồ bằng với giá trị phát xạ tương ứng của chúng, bước này được lặp lại.
Đặt mẫu thử nghiệm lên nhiệt độ chìm, đặt máy dò lên bề mặt mẫu thử nghiệm khoảng 90 giây, đợi đọc ổn định, số đọc này là độ phát xạ của mẫu thử nghiệm. Quá trình này được thực hiện ít nhất ba lần.
Xử lý dữ liệu
Lấy trung bình số học của giá trị thử nghiệm ba lần làm độ phát xạ bán cầu của mẫu thử nghiệm.
Báo cáo thử nghiệm
Các yêu cầu đối với báo cáo thử nghiệm được quy định tại 4.4.3 trong GJB 2502.1-2015.

Phương pháp phản xạ - Portable (Phương pháp 2041)
Mục đích thử nghiệm
Xác định độ phát xạ bán cầu của lớp phủ điều khiển nhiệt bề mặt của tàu vũ trụ và các bộ phận.


Máy đo độ phát xạ D&S AERD