Vào ngày 14 tháng 9, Navitas Semiconductor đã tổ chức một cuộc họp báo ở Bắc Kinh, công bố sự ra mắt của thiết kế tham chiếu bộ chuyển đổi nguồn USB-PD (Type-C) 65W nhỏ zui, dựa trên lĩnh vực tiêu dùng làm cơ sở gia tăng, nhằm tăng sản lượng để giảm chi phí, trong tương lai hứa hẹn sẽ mở ra một kịch bản ứng dụng rộng hơn.

Là một sự kết hợp của * cascode CaN Power FET, các chất bán dẫn Navitas, dưới sự lãnh đạo của một đội ngũ cốt lõi gồm các nhà tiếp thị và công nghệ bán dẫn, đã nhanh chóng cập nhật sản phẩm trong ba năm, nhận được sự ủng hộ và hỗ trợ mạnh mẽ từ cộng đồng tài chính và đầu tư. Bộ chuyển đổi nguồn USB-PD (Type-C) 65W được giới thiệu cho máy tính xách tay, có kích thước và trọng lượng nhỏ hơn năm lần so với thiết kế dựa trên silicon chậm.

Tần số cao và AllGaN ™ IC công suất, có thể giảm kích thước của máy biến áp, bộ lọc và tản nhiệt, giảm trọng lượng và giảm chi phí. So với các thiết kế dựa trên silicon hiện tại, cần 98-115cc (hoặc 6-7 in3) và trọng lượng lên đến 300g, dựa trên AllGaN. ™ Khối lượng thiết kế mới 65W của IC công suất chỉ là 45cc (hoặc 2,7 in3) trong khi trọng lượng chỉ là 60g.

Stephen Oliver, phó chủ tịch bán hàng và tiếp thị của Narmicro Semiconductor, cho biết: "Bộ chuyển đổi điện cho máy tính xách tay cuối cùng cũng trở nên mỏng và giá cả phải chăng như máy tính xách tay mà nó đang sạc. Các nhà thiết kế nguồn điện phải đối mặt với một số thách thức trong ngành xung đột, từ việc kết nối USB Type C mới và đầu ra USB PD (cung cấp điện) có đáp ứng các tiêu chuẩn hiệu quả năng lượng theo luật định hay không cho đến các vấn đề liên quan như chi phí. IC công suất GaN đơn chip của Nano có thể đạt được tốc độ hoạt động và tốc độ cao cùng một lúc và được thiết kế để đáp ứng tất cả những thách thức này; Chi phí gần hoặc thậm chí thấp hơn so với thiết kế bán dẫn dựa trên silicon chậm kiểu cũ. ”

Thiết kế tham chiếu 65W NVE028A được thiết kế với IC công suất GaN sử dụng cấu trúc liên kết chống kích thích kẹp hoạt động (ACF), chuyển đổi nhanh hơn 3 đến 4 lần so với thiết kế chuyển đổi thông thường và giảm 40% tổn thất, cho phép kích thước nhỏ hơn và chi phí thấp hơn. Thiết kế * đáp ứng các tiêu chuẩn hiệu quả năng lượng được quy định bởi CoC Tier 2 của EU và Bộ Năng lượng Hoa Kỳ Cấp 6 (DoE VI) và đạt được hiệu suất cao hơn 94% khi tải đầy.

Xu Dehong, Chủ tịch Hiệp hội Điện lực Trung Quốc và Giám đốc Viện Công nghệ Điện tử Điện tại Đại học Chiết Giang, cho biết: "Đây là một thành tựu lớn trong thiết kế bộ chuyển đổi điện. Tôi nghĩ rằng các nhà sản xuất điện Trung Quốc đã tìm kiếm các thành phần công suất bị cấm rộng như vậy để cải thiện hơn nữa hiệu quả và mật độ năng lượng của nguồn điện và do đó đáp ứng yêu cầu của khách hàng."

Không giống như các thiết kế bộ chuyển đổi điện mật độ cao trước đó, NVE028A đạt được kích thước nhỏ (51 x 43 x 20,5 mm) và mật độ công suất đột phá (1,5W/cc, 24W/in3) bằng cách sử dụng công nghệ sản xuất đơn giản, tiêu chuẩn, chi phí thấp.

Gene Sheridan, Giám đốc điều hành của NAMIC Semiconductor cho biết: "Kể từ khi chúng tôi công bố nền tảng AllGaN tại Hội nghị và Triển lãm Điện tử Ứng dụng (APEC) 2016, NAMIC cũng đã giới thiệu các IC công suất GaN đơn và bán cầu, bộ chuyển đổi 150W nhỏ trong ngành và bây giờ chúng tôi đã phát hành một thiết kế USB-PD 65W nhỏ đáp ứng tất cả các tiêu chuẩn tiết kiệm năng lượng. Nền tảng chương trình thu nhỏ linh hoạt, hiệu suất cao và hiệu quả về chi phí này đáp ứng và vượt quá mong đợi của thị trường di động và tiêu dùng. ”

Đối với việc áp dụng các sản phẩm bán dẫn nano, Gene Sheridan đề xuất rằng USB-PD 65W (Type-C) không giới hạn thị trường hàng tiêu dùng cá nhân, cắt từ lĩnh vực tiêu dùng, mục đích là tăng khối lượng bán hàng, giảm chi phí và cho phép nó có một thị trường rộng lớn hơn. Đồng thời, ông đề xuất rằng trong lĩnh vực công nghiệp tần số cao, áp suất cao và mật độ cao, chất bán dẫn nano có biểu hiện rất tốt.