Chào mừng khách hàng!

Thành viên

Trợ giúp

Beijing Gewei Instrument Co., Ltd
Nhà sản xuất tùy chỉnh

Sản phẩm chính:

instrumentb2b>Bài viết

Beijing Gewei Instrument Co., Ltd

  • Thông tin E-mail

    27518410@qq.com

  • Điện thoại

    18611817232

  • Địa chỉ

    Phòng 1209, tòa nhà D, Junfeng Huating, số 69 đường Bắc Thần, quận Triều Dương, Bắc Kinh

Liên hệ bây giờ
Mạ đồng đều và dẫn điện tốt cho máy phun ion tự động hoàn toàn
Ngày:2025-12-16Đọc:0
Lớp phủ đồng đều và độ dẫn điện tốt của máy phún xạ ion hoàn toàn tự động, nhờ vào công nghệ phún xạ magnetron, hệ thống điều khiển chính xác và khả năng lựa chọn nhiều mục tiêu, những ưu điểm cụ thể như sau:
I. Công nghệ phún xạ magnetron đảm bảo tính đồng nhất của lớp phủ
1. Thiết kế tối ưu hóa từ trường: Tăng cường tính đồng nhất mật độ plasma bằng cách điều chỉnh hình dạng nam châm, cách sắp xếp hoặc từ trường di chuyển, làm cho tốc độ phún xạ ở các vị trí khác nhau của mục tiêu có xu hướng phù hợp, do đó nâng cao tính đồng nhất của lớp màng. Ví dụ, tối ưu hóa khoảng cách giữa mục tiêu và chất nền tránh sự tích tụ không đồng đều của các hạt phún xạ, đảm bảo độ dày của màng đồng đều.
2. Điều chỉnh động độ cao cơ sở mục tiêu: Các thí nghiệm cho thấy sự khác biệt về độ dày màng tại các điểm khác nhau của tấm cơ sở giảm dần khi khoảng cách giữa mục tiêu và chất nền tăng lên, và tính đồng nhất tăng lên đáng kể. Đặc tính này cho phép máy phun ion thích ứng với các mẫu có kích thước và hình dạng khác nhau, đạt được lớp phủ chính xác cao.
3. Kiểm soát phối hợp công suất phún xạ và độ chân không: tăng công suất phún xạ có thể mở rộng diện tích làm sáng bề mặt mục tiêu, làm cho mật độ công suất đồng đều hơn; Và cải thiện độ chân không có thể làm giảm xác suất va chạm của các nguyên tử phún xạ và các nguyên tử khí trong buồng, tiếp tục tối ưu hóa tính đồng nhất của độ dày màng. Cơ chế kiểm soát kép này đảm bảo sự ổn định của chất lượng mạ.
II. Hệ thống điều khiển chính xác tự động ion phún xạ nâng cao hiệu suất dẫn điện
1. Công nghệ điều khiển hiện tại không đổi: Sử dụng nguồn cung cấp phún xạ DC magnetron không đổi có độ chính xác cao, độ chính xác điều khiển có thể đạt 1mA, đảm bảo sự ổn định của dòng phún xạ. Sản lượng dòng điện ổn định này giúp tạo ra một lớp mạ kim loại dày đặc, do đó nâng cao tính dẫn điện của mẫu.
2. Điều chỉnh chính xác môi trường chân không: nhanh chóng nhận ra môi trường chân không làm việc (chân không giới hạn<1Pa) thông qua bơm chân không cánh quạt hiệu suất cao và được trang bị đầy đủ máy đo chân không Pilani để theo dõi chân không trong thời gian thực. Điều khiển chân không chính xác này có thể làm giảm tác động của tạp chất lên lớp mạ và cải thiện tính dẫn điện.
3. Kiểm soát hạt phún xạ ở cấp độ nano: Các hạt phún xạ có thể đạt đến cấp độ nano (<5nm), bộ phim được chuẩn bị dày đặc và đồng nhất. Lớp phủ nano này không chỉ dẫn điện tuyệt vời mà còn đáp ứng nhu cầu quan sát SEM có độ phân giải cao.
III. Máy phún xạ ion tự động đa mục tiêu được lựa chọn để đáp ứng nhu cầu đa dạng
1. Hỗ trợ mục tiêu kim loại quý: Máy phún xạ ion hỗ trợ lựa chọn nhiều mục tiêu kim loại quý như vàng, bạch kim, bạc, palladium, v.v. Những mục tiêu này có độ dẫn điện tốt và ổn định hóa học và có thể đáp ứng nhu cầu của các mẫu khác nhau cho vật liệu mạ.
2. Dễ dàng thay thế mục tiêu: Đầu mục tiêu bao gồm vòng che chắn, vòng ép, mục tiêu. Chỉ cần vòng che chắn lỏng lẻo và vít vòng ép để thay thế mục tiêu có thể dễ dàng loại bỏ mục tiêu cũ và lắp đặt mục tiêu mới. Cách thay thế mục tiêu thuận tiện này cải thiện tính linh hoạt và hiệu quả sử dụng của thiết bị.
IV. Xác minh hiệu ứng ứng dụng thực tế của máy phún xạ ion tự động hoàn toàn
1. Tối ưu hóa quan sát gương quét: Trong quan sát gương quét (SEM), máy phún xạ ion có khả năng cung cấp lớp mạ đồng nhất và dẫn điện tốt cho các mẫu không dẫn điện. Điều này tránh hiệu quả việc tạo ra hiệu ứng tích điện, làm cho hình ảnh gương rõ ràng hơn và chi tiết hơn.
2. Hỗ trợ hình ảnh độ phóng đại cao: Đối với các mẫu cần hình ảnh độ phóng đại cao, máy phún xạ ion có thể cung cấp một lớp kim loại dẫn điện tinh tế và đồng nhất. Điều này cho phép quan sát và hình ảnh ở độ phóng đại lớn hơn, cải thiện độ chính xác và độ tin cậy của thí nghiệm.